[發明專利]一種母板及其檢測方法有效
| 申請號: | 201811105708.8 | 申請日: | 2018-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN109216379B | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發明(設計)人: | 趙永強;樊超;廖中偉;蔣冬舜;陳胡建;李世維 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/417;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 母板 及其 檢測 方法 | ||
1.一種母板,包括基板,位于所述基板上的多個顯示區域,以及位于所述顯示區域之間的非顯示區域,所述顯示區域包括用于控制像素顯示的薄膜晶體管,其特征在于,包括:位于所述非顯示區域的至少一個檢測元件;
所述檢測元件包括:與所述薄膜晶體管的源漏電極同層設置的第一電極和第二電極,與所述薄膜晶體管的有源層同層設置的第三電極,所述第一電極與所述第三電極存在交疊,所述第二電極與所述第三電極存在交疊,且所述第一電極與所述第二電極不交疊;
所述檢測元件還包括:第一檢測電極和第二檢測電極,所述第一檢測電極和所述第二檢測電極通過引線分別與所述第一電極和所述第二電極相連;
所述非顯示區域至少包括三個所述檢測元件:第一檢測元件、第二檢測元件和第三檢測元件,所有所述檢測元件中所述第一電極與所述第三電極的交疊面積,所述第二電極與所述第三電極的交疊面積均相等;
所述第一檢測元件與所述第二檢測元件中的所述第一檢測電極的面積與所述第二檢測電極的面積之和,以及所述引線的面積均相等,所述第二檢測元件中所述第三電極與所述第一電極和所述第二電極未交疊部分的面積與所述第一檢測元件中所述第三電極與所述第一電極和所述第二電極未交疊部分的面積不相等;
所述第三檢測元件中所述第三電極與所述第一電極和所述第二電極未交疊部分的面積與所述第一檢測元件中所述第三電極與所述第一電極和所述第二電極未交疊部分的面積相等,所述第三檢測元件中所述引線的面積與所述第一檢測元件中所述引線的面積不相等,所述第三檢測元件中所述第一檢測電極和所述第二檢測電極的面積之和與所述第一檢測元件中所述第一檢測電極和所述第二檢測電極的面積之和不相等。
2.如權利要求1所述的母板,其特征在于,在所有所述檢測元件中,所述引線、所述第一檢測電極、所述第二檢測電極、所述第一電極和所述第二電極均同層設置。
3.如權利要求2所述的母板,其特征在于,各所述檢測元件中的所述引線的寬度相等,所述第三檢測元件中的所述引線的長度與所述第一檢測元件中所述引線長度不相等。
4.如權利要求2所述的母板,其特征在于,所述第三檢測元件中的所述第一檢測電極和所述第二檢測電極的面積之和與所述第一檢測元件中的所述第一檢測電極和所述第二檢測電極的面積之和不相等。
5.如權利要求2所述的母板,其特征在于,各所述檢測元件中所述第三電極的寬度相同;
所述第二檢測元件中所述第三電極與所述第一電極和所述第二電極未交疊部分的長度與所述第一檢測元件中所述第三電極與所述第一電極和所述第二電極未交疊部分的長度不相等。
6.一種如權利要求1-5任一項所述的母板檢測方法,其特征在于,在所述檢測元件包括所述第一電極、所述第二電極、所述第三電極、所述第一檢測電、所述第二檢測電極和所述引線時,所述檢測方法包括:
檢測所述第一檢測電極與所述第二檢測電極之間的電阻值;
根據所述電阻值,所述第一檢測電極的電阻,所述第二檢測電極的電阻,所述引線的電阻,所述第三電極與所述第一電極和所述第二電極未交疊部分的電阻值計算所述第一電極和所述第二電極與所述第三電極之間的接觸電阻;
在所述非顯示區域包括:所述第一檢測元件、所述第二檢測元件和所述第三檢測元件時,所述檢測方法包括:
檢測所述第一檢測元件中的所述第一檢測電極與所述第二檢測電極之間的第一電阻值,所述第二檢測元件中所述第一檢測電極與所述第二檢測電極之間的第二電阻值,所述第三檢測元件中所述第一檢測電極與所述第二檢測電極之間的第三電阻值;
根據所述第一電阻值、所述第二電阻值和所述第三電阻值計算所述第一電極和所述第二電極與所述第三電極之間的接觸電阻。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





