[發(fā)明專利]移位寄存器、柵極驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811104527.3
• 申請(qǐng)日: 2018-09-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108962181A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉沖;趙海生;肖紅璽;李寶金;王薇;裴曉光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/36
• 分類號(hào): G09G3/36;G09G3/3266;G11C19/28
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤(rùn)湘

本發(fā)明公開(kāi)了一種移位寄存器、柵極驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置，在形成串聯(lián)且疊層設(shè)置的電容結(jié)構(gòu)的過(guò)程中，制作完第一電容器后，通過(guò)保留GOA工藝中位于移位寄存器區(qū)域的樹(shù)脂層，再通過(guò)進(jìn)行ITO Mask工藝形成位于樹(shù)脂層上且與第一電容器串聯(lián)的第二電容器，這樣串聯(lián)的兩個(gè)電容器能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)并且可以保證電容結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)電容的容量滿足設(shè)計(jì)要求，保留的樹(shù)脂層可以解決在后續(xù)進(jìn)行ITO Mask工藝時(shí)，不會(huì)造成像現(xiàn)有技術(shù)中由于將移位寄存器區(qū)域的樹(shù)脂層做挖空處理而影響ITO工藝的ITO Mask曝光、造成ITO殘留、導(dǎo)致ITO殘留處發(fā)生短路、從而使移位寄存器工作異常、發(fā)生異常顯示的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種移位寄存器、柵極驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置。

背景技術(shù)

目前，對(duì)于薄膜晶體管陣列基板顯示器，通常通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)裝置向像素區(qū)域的各個(gè)薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)的柵極提供柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。柵極驅(qū)動(dòng)裝置可以通過(guò)陣列工藝形成在液晶顯示器的陣列基板上，即陣列基板行驅(qū)動(dòng)(Gate Driver onArray,GOA)工藝，這種集成工藝不僅節(jié)省了成本，而且可以做到液晶面板(Panel)兩邊對(duì)稱的美觀設(shè)計(jì)，同時(shí)，也省去了柵極集成電路(IC，Integrated Circuit)的綁定(Bonding)區(qū)域以及扇出(Fan-out)的布線空間，從而可以實(shí)現(xiàn)窄邊框的設(shè)計(jì)；并且，這種集成工藝還可以省去柵極掃描線方向的Bonding工藝，從而提高了產(chǎn)能和良率。

隨著目前窄邊框顯示設(shè)備越來(lái)越流行，需要更窄邊框的顯示器，所以就需要將GOA電路做的越來(lái)越小，從而節(jié)約非顯示區(qū)域的面積。目前，常見(jiàn)的GOA電路由多個(gè)TFT和電容器組成，其各個(gè)公司的技術(shù)略有差異，即其電路結(jié)構(gòu)略有差異，但是原理都是起到移位寄存器的作用，而且均是包括多個(gè)TFT和電容器的，如圖1所示的GOA電路的等效電路示意圖中的電容器C1。當(dāng)然，上述圖1的GOA電路僅是舉例說(shuō)明，現(xiàn)有技術(shù)中存在多種不同的GOA電路，在此不一一描述，但所有的GOA電路中必然存在電容器。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種移位寄存器、柵極驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置，用以在實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)及保證存儲(chǔ)電容的容量一定的基礎(chǔ)上保證移位寄存器正常的移位寄存的功能。

因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種移位寄存器，包括位于陣列基板上的驅(qū)動(dòng)晶體管，以及連接于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極之間的電容結(jié)構(gòu)；所述電容結(jié)構(gòu)包括串聯(lián)且疊層設(shè)置的第一電容器和第二電容器，所述第一電容器和所述第二電容器之間具有樹(shù)脂層；其中所述第一電容器包括依次疊層設(shè)置的第一極板、第一絕緣層和第二極板，所述第二電容器包依次疊層設(shè)置的第三極板、第二絕緣層和第四極板。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的移位寄存器中，所述第四極板通過(guò)依次貫穿所述第二絕緣層、所述樹(shù)脂層和所述第一絕緣層的過(guò)孔與所述第一極板電連接。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的移位寄存器中，所述第四極板通過(guò)依次貫穿所述第二絕緣層和所述樹(shù)脂層的過(guò)孔與所述第二極板電連接。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的移位寄存器中，所述第三極板通過(guò)依次貫穿所述樹(shù)脂層和所述第一絕緣層的過(guò)孔與所述第一極板電連接。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的移位寄存器中，所述第二極板通過(guò)貫穿所述樹(shù)脂層的過(guò)孔與所述第三極板電連接。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的移位寄存器中，所述第一極板位于所述陣列基板的柵極金屬層，所述第二極板位于所述陣列基板的源漏金屬層。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的移位寄存器中，所述第三極板和所述第四極板的材料均為ITO。

在一種可能的實(shí)施方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的移位寄存器中，所述第一絕緣層位于所述陣列基板的柵極絕緣層，所述第二絕緣層位于所述陣列基板的鈍化層。