[發明專利]像素結構與顯示器件在審
| 申請號: | 201811102786.2 | 申請日: | 2018-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN110429103A | 公開(公告)日: | 2019-11-08 |
| 發明(設計)人: | 李哲;宋晶堯;付東;唐衛東 | 申請(專利權)人: | 廣東聚華印刷顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 曾銀鳳 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 濾光膜 黃色子像素 藍色子像素 混合像素 藍色像素 像素單元 像素結構 像素組 顯示器件 紅光 黃光 綠光 | ||
本發明涉及一種像素結構及顯示器件,其特征在于,該像素結構包括多個藍色像素組、多個黃色像素組、第一濾光膜和第二濾光膜;藍色像素組由在縱向上排列的多個藍色子像素構成,黃色像素組由在縱向上排列的多個黃色子像素構成,在橫向上相鄰的一個藍色像素組和一個黃色像素組組成一個混合像素組,多個混合像素組在橫向上排列,且在混合像素組中,每個藍色子像素與兩個黃色子像素相鄰,該藍色子像素與該兩個黃色子像素組成一個像素單元;每個像素單元中的一個黃色子像素的出光方向上設置有第一濾光膜,第一濾光膜用于將黃光轉變為紅光,每個像素單元中的另一個黃色子像素的出光方向上設置有第二濾光膜,第二濾光膜用于將轉變為綠光。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種像素結構與顯示器件。
背景技術
通過噴墨印刷工藝制備OLED、QLED器件,由于具有材料利用率高、無需高真空條件和精細掩膜版、適合制備大尺寸顯示器等優點,越來越受到顯示行業的重視,有望成為今后顯示器制造的主流工藝。
對于噴墨印刷工藝來說,如何制備具有高分辨率的顯示器是主要的技術挑戰之一。要獲得具有高分辨率的打印器件,需要增加RGB像素的密度,即意味著要減小RGB子像素的大小。而對于噴墨打印工藝來說,由于存在打印頭與基板之間的對準誤差、打印機傳動機構的運動誤差、墨滴飛行角度的偏差(偏離垂直下落的情況)等多個因素的影響,墨滴的“落點精度”存在一定限制。因此,若要減小子像素的大小,也是存在一定極限的,即子像素的長寬的維度不能低于一個極限值,否則會產生墨滴的實際落點超出目標像素區域而進入相鄰的其他子像素區域,從而導致發生混色的問題。
發明內容
基于此,有必要提供一種像素結構與顯示器件,以降低對制造設備和工藝的精度要求獲得高分辨率的顯示器件。
一種像素結構,包括多個藍色像素組、多個黃色像素組、第一濾光膜和第二濾光膜;
所述藍色像素組由在縱向上排列的多個藍色子像素構成,所述黃色像素組由在縱向上排列的多個黃色子像素構成,在橫向上相鄰的一個所述藍色像素組和一個所述黃色像素組組成一個混合像素組,多個所述混合像素組在橫向上排列,且在所述混合像素組中,每個所述藍色子像素與兩個所述黃色子像素相鄰,該藍色子像素與該兩個黃色子像素組成一個像素單元;
每個所述像素單元中的一個所述黃色子像素的出光方向上設置有所述第一濾光膜,所述第一濾光膜用于將該黃色子像素發出的黃光轉變為紅光,每個所述像素單元中的另一個所述黃色子像素的出光方向上設置有所述第二濾光膜,所述第二濾光膜用于將該黃色子像素發出的黃光轉變為綠光。
一種顯示器件,其包含上述的像素結構。
與現有方案相比,本發明具有以下有益效果:
上述像素結構,每個黃色像素組中與同一藍色子像素相鄰的兩個黃色子像素中的一個通過第一濾光膜將黃光轉變為紅光,每個黃色像素組中與同一藍色子像素相鄰的兩個黃色子像素中的另一個通過第二濾光膜將黃光轉變為綠光,從而與該藍色子像素共同組成RGB像素單元。通過噴墨打印制作上述像素結構的發光功能層時,每個藍色像素組和每個黃色像素組均可分別通過一次打印,即可形成多個小尺寸的子像素結構,可降低打印設備和工藝的精度要求,獲得高分辨率的顯示器件。
附圖說明
圖1為一實施例的像素結構中像素排列的示意圖;
圖2為一實施例的像素結構的色彩轉變示意圖;
圖3為傳統的RGB條狀像素結構中的一個像素單元;
圖4為一實施例的像素結構中的一個像素單元。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





