[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)與顯示器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811102766.5 | 申請日: | 2018-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN110429102B | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李哲;宋晶堯;付東;唐衛(wèi)東 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 曾銀鳳 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 結(jié)構(gòu) 顯示 器件 | ||
1.一種像素結(jié)構(gòu),其特征在于,包括多個藍色像素組、多個黃色像素組、第一濾光膜和第二濾光膜;
所述藍色像素組由在縱向上排列的多個藍色子像素構(gòu)成,所述黃色像素組由在縱向上排列的多個黃色子像素構(gòu)成,在橫向上相鄰的一個所述藍色像素組和一個所述黃色像素組組成一個混合像素組,多個所述混合像素組在橫向上排列,且在所述混合像素組中,每個所述藍色子像素與三個順次排列的所述黃色子像素相鄰,該藍色子像素與該三個黃色子像素組成一個像素單元;
每個所述像素單元中的一個所述黃色子像素的出光方向上設(shè)置有所述第一濾光膜,所述第一濾光膜用于將該黃色子像素發(fā)出的黃光轉(zhuǎn)變?yōu)榧t光,每個所述像素單元中的另一個所述黃色子像素的出光方向上設(shè)置有所述第二濾光膜,所述第二濾光膜用于將該黃色子像素發(fā)出的黃光轉(zhuǎn)變?yōu)榫G光;
所述黃色子像素發(fā)出的光的光譜中包括第一峰值和第二峰值,所述第一峰值位于490nm~550nm波段中,所述第二峰值位于590nm~650nm波段中。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述藍色子像素和所述黃色子像素均為矩形。
3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述像素單元中,每個所述黃色子像素的面積均小于所述藍色子像素的面積。
4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一濾光膜和所述第二濾光膜為色彩轉(zhuǎn)換膜或光阻。
5.如權(quán)利要求1~4任一項所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述藍色像素組中相鄰的兩個所述藍色子像素之間設(shè)置有第一像素界定層,所述黃色像素組中相鄰的兩個所述黃色子像素之間設(shè)置有第二像素界定層,所述藍色像素組與所述黃色像素組之間設(shè)置有第三像素界定層,所述第一像素界定層和所述第二像素界定層的高度均低于所述第三像素界定層的高度。
6.如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一像素界定層和所述第二像素界定層的高度為10nm~500nm,所述第三像素界定層的高度為500nm~1500nm。
7.如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述藍色子像素具有第一發(fā)光功能層,所述第一發(fā)光功能層的高度低于所述第三像素界定層的高度,所述黃色子像素具有第二發(fā)光功能層,所述第二發(fā)光功能層的高度低于所述第三像素界定層的高度。
8.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一發(fā)光功能層的高度高于所述第一像素界定層的高度;和/或,所述第二發(fā)光功能層的高度高于所述第二像素界定層的高度。
9.如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一像素界定層和所述第二像素界定層的表面呈親液性;和/或,所述第三像素界定層的表面呈疏液性。
10.一種顯示器件,其特征在于,包含如權(quán)利要求1~9任一項所述的像素結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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