[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811102015.3
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN110931351A
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李天慧;楊瑞鵬;肖德元
• 申請（專利權(quán)）人: 芯恩（青島）集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F1/72
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括如下步驟：

1)提供一基底，于所述基底上形成目標材料層；

2)采用定向自組裝方法于所述目標材料層上形成自動分層的嵌段共聚物層，分層后的所述嵌段共聚物層包括聚乙烯甲基丙烯酸甲酯層及聚苯乙烯層，所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯層定義出初始圖形結(jié)構(gòu)的位置及形狀；

3)去除所述聚苯乙烯層；

4)依據(jù)所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯層刻蝕所述目標材料層，以形成初始圖形結(jié)構(gòu)；去除所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯層；

5)于步驟4)所得結(jié)構(gòu)的表面形成光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋所述初始圖形結(jié)構(gòu)；

6)提供一二元式光掩膜版，所述二元式光掩膜版內(nèi)形成有修正圖形；

7)依據(jù)所述二元式光掩膜版對所述光刻膠層進行曝光顯影，以得到圖形化光刻膠層，所述圖形化光刻膠層內(nèi)形成有所述修正圖形；

8)依據(jù)所述圖形化光刻膠層對所述初始圖形結(jié)構(gòu)進行修正，以得到目標圖形結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟1)中提供的所述基底包括晶圓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟2)中，采用定向自組裝方法于所述目標材料層上形成自動分層的嵌段共聚物層包括如下步驟：

2-1)于所述目標材料層上形成嵌段共聚物層，所述嵌段共聚物層包括聚乙烯甲基丙烯酸甲酯及聚苯乙烯；

2-2)采用光照或者加熱的方式使所述嵌段共聚物層中的所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯及所述聚苯乙烯自動分層，以形成分離的所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯層及所述聚苯乙烯層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟2-1)中，所述嵌段共聚物層中還包括氧化還原劑、感光劑及金屬離子中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟2)中，分層后的所述嵌段共聚物層包括若干個呈條狀分布的所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯層及若干個呈條狀分布的所述聚苯乙烯層，且沿平行于所述目標材料層表面的方向，所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯層與所述聚苯乙烯層交替排布。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述聚乙烯甲基丙烯酸甲酯層的寬度與所述聚苯乙烯層的寬度相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟3)中，采用鹽酸溶液去除所述聚苯乙烯層，或采用丙二醇單甲基醚醋酸酯和丙二醇單甲基醚的混合液去除所述聚苯乙烯層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟8)中，依據(jù)所述圖形化光刻膠層采用刻蝕工藝對所述初始圖形結(jié)構(gòu)進行修正。