[發(fā)明專利]存儲(chǔ)設(shè)備及其數(shù)據(jù)寫入方法、存儲(chǔ)裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811099881.1 | 申請日: | 2018-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN109491592B | 公開(公告)日: | 2022-11-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐江;梁小慶;鄧恩華;李志雄 | 申請(專利權(quán))人: | 中山市江波龍電子有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/06 | 分類號: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 528437 廣東省中*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲(chǔ) 設(shè)備 及其 數(shù)據(jù) 寫入 方法 裝置 | ||
本申請公開了一種存儲(chǔ)設(shè)備及其數(shù)據(jù)寫入方法、存儲(chǔ)裝置,該數(shù)據(jù)寫入方法包括接收待寫入數(shù)據(jù)的寫入命令;判斷所述存儲(chǔ)設(shè)備的第一模式是否開啟;若第一模式開啟,則接收待寫入數(shù)據(jù),采用所述第一模式寫入所述待寫入數(shù)據(jù);反之,則判斷待寫入數(shù)據(jù)是否為設(shè)定寫入類型;若待寫入數(shù)據(jù)為設(shè)定寫入類型,則采用第一模式寫入所述待寫入數(shù)據(jù);反之,則采用第二模式寫入待寫入數(shù)據(jù)。通過先判斷快速寫入模式是否開啟,確定數(shù)據(jù)寫入模式,能夠在不影響存儲(chǔ)設(shè)備存儲(chǔ)量的前提下加快數(shù)據(jù)的寫入速度,提升了存儲(chǔ)設(shè)備的突發(fā)寫入性能,且方便移植,實(shí)用性廣,能夠使低性能的存儲(chǔ)性能的存儲(chǔ)設(shè)備獲得較好的突發(fā)寫入性能指標(biāo),提高用戶體驗(yàn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種存儲(chǔ)設(shè)備及其數(shù)據(jù)寫入方法、存儲(chǔ)裝置。
背景技術(shù)
隨著存儲(chǔ)技術(shù)的不斷發(fā)展,人們在追求更大容量的同時(shí),對存儲(chǔ)設(shè)備的其他性能指標(biāo)也越來越關(guān)注。例如,存儲(chǔ)設(shè)備的突發(fā)性能近些年一直是受到人們的專注。
以快閃記憶體NAND Flash為例來說,NAND Flash有兩種寫入模式,單層單元SLC高速寫入模式以及多層單元MLC/三層單元TLC等低速寫入模式,這兩種不同的數(shù)據(jù)寫入模式對應(yīng)的寫入讀取性能和存儲(chǔ)密度都是不同的。例如,通過快速寫入SLC寫入模式進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入時(shí),數(shù)據(jù)的處理速度為MLC/TLC操作方式的5~10倍。
由于快速寫入SLC操作模式下的存儲(chǔ)密度會(huì)下降,比如,完全采用 SLC操作模式進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí),存儲(chǔ)密度相當(dāng)于MLC操作模式下存儲(chǔ)密度的1/2,或者相當(dāng)于TLC操作模式下存儲(chǔ)密度的2/3。因此,SLC這種通過以空間換時(shí)間的操作模式也并非適合任何場合。
發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┮环N存儲(chǔ)設(shè)備及其數(shù)據(jù)寫入方法、存儲(chǔ)裝置,能夠根據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備當(dāng)前的存儲(chǔ)條件選擇合適的數(shù)據(jù)寫入方式,在不影響存儲(chǔ)設(shè)備存儲(chǔ)量的前提下加快數(shù)據(jù)的寫入速度。
為解決上述技術(shù)問題,本申請?zhí)峁┑牡谝环N技術(shù)方案是提供一種數(shù)據(jù)寫入方法,其特征在于,包括:
S101,接收待寫入數(shù)據(jù)的寫入命令;
S102,判斷所述存儲(chǔ)設(shè)備的第一模式是否開啟;
S103,若所述第一模式開啟,則接收待寫入數(shù)據(jù),采用所述第一模式寫入所述待寫入數(shù)據(jù);反之,則判斷所述待寫入數(shù)據(jù)是否為設(shè)定寫入類型;
S104,若所述待寫入數(shù)據(jù)為設(shè)定寫入類型,則采用所述第一模式寫入所述待寫入數(shù)據(jù);反之,則采用第二模式寫入所述待寫入數(shù)據(jù)。
為解決上述技術(shù)問題,本申請的提供的第二種技術(shù)方案是提供一種存儲(chǔ)設(shè)備,所述存儲(chǔ)設(shè)備包括存儲(chǔ)器、與所述存儲(chǔ)器通信連接的處理器、所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有可在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)上述任一實(shí)施方式所述數(shù)據(jù)寫入方法的步驟。
為解決上述技術(shù)問題,本申請?zhí)峁┑牡谌N技術(shù)方案是提供一種存儲(chǔ)裝置,其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)上述數(shù)據(jù)寫入方法的步驟。
區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù),本實(shí)施方式的存儲(chǔ)設(shè)備在空閑狀態(tài)接收到寫入命令后,首先判斷存儲(chǔ)設(shè)備的快速寫入模式是否開啟,如果開啟,采用快速寫入模式待寫入數(shù)據(jù),反之,則采用低速寫入模式寫入待寫入數(shù)據(jù)。通過先判斷快速寫入模式是否開啟,確定數(shù)據(jù)寫入模式,能夠在不影響存儲(chǔ)設(shè)備存儲(chǔ)量的前提下加快數(shù)據(jù)的寫入速度,提升了存儲(chǔ)設(shè)備的突發(fā)寫入性能,且方便移植,實(shí)用性廣,能夠使低性能的存儲(chǔ)性能的存儲(chǔ)設(shè)備獲得較好的突發(fā)寫入性能指標(biāo),提高用戶體驗(yàn)。
附圖說明
圖1是本申請數(shù)據(jù)寫入方法的第一實(shí)施方式的流程示意圖;
圖2是本申請數(shù)據(jù)寫入方法的第二實(shí)施方式的流程示意圖;
圖3是本申請數(shù)據(jù)寫入方法的第三實(shí)施方式的流程示意圖;
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