[發明專利]低碳含量的燒結釹鐵硼磁體的制備方法

在審

• 申請號: 201811099680.1
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN109161819A
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 房宏偉
• 申請（專利權）人: 京磁材料科技股份有限公司
• 主分類號: C22C38/16
• 分類號: C22C38/16;C22C38/02;B22F1/00;B22F3/10;H01F1/057
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369
• 代理人: 史霞

1.低碳含量的燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、將釹鐵硼磁體原料進行真空熔煉得到釹鐵硼磁體合金，其中，所述釹鐵硼磁體原料按質量百分比組成包括：Nd 35％、B 2.5％、Cu 1.8％、Si 1.8％、余量為Fe；

步驟二、將釹鐵硼磁體合金進行氫爆處理，然后加入釹鐵硼磁體合金質量的0.1％的保護劑，混合后采用氣流磨用氬氣保護磨制成釹鐵硼粉末，然后壓制成型得到釹鐵硼生坯，其中，保護劑按質量百分比組成包括：硬脂酸鋅50％、醋酸丁脂30％、松節油20％；

步驟三、將釹鐵硼生坯相對的兩側加載100V電壓，通電1h，且整個通電過程中釹鐵硼生坯處于充滿氬氣，溫度保持在100℃的環境中進行；

步驟四、將步驟三處理后的釹鐵硼生坯進行真空燒結得到燒結釹鐵硼磁體，其中，燒結過程包括以下四個階段：第一階段，450℃下保溫1h；第二階段，200℃下保溫30min；第三階段，1100℃下保溫2.5h；第四階段，450℃下保溫1h。

2.如權利要求1所述的低碳含量的燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，步驟四中所述第一階段的升溫速率為8℃/min，從第一階段至第二階段自然降溫，從第二階段升溫至第三階段的升溫速率為5℃/min，第三階段至第四階段自然降溫。

3.如權利要求1所述的低碳含量的燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，步驟四中真空燒結時，燒結爐的真空度為0.3Pa。

4.如權利要求1所述的低碳含量的燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，步驟三處理后的釹鐵硼生坯置于氬氣中保護，并保持100℃，直至進行步驟四處理。

5.如權利要求1所述的低碳含量的燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，步驟四中，所述第四階段結束后，保持真空度為0.3Pa，自然降溫至100℃后，再從燒結爐中取出得到燒結釹鐵硼磁體。

6.如權利要求1所述的低碳含量的燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，所述釹鐵硼粉末壓制成型的條件為取向壓制磁場為2T，等靜壓壓力為240MPa，壓制時間100s。

7.如權利要求1所述的低碳含量的燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，步驟三中對釹鐵硼生坯加電壓的裝置包括：

箱體，其頂部設置有密封蓋、側壁設有進氣管和出氣管、內部設有絕緣導熱的隔板，所述隔板將所述箱體分隔成上空腔和下空腔，所述隔板不導電，所述進氣管與氬氣供應設備連通，所述出氣管與真空泵連接；

一對豎板，其相對設置于所述上空腔內，且下端固定于所述隔板上；

一對彈簧，一對彈簧的一端分別固定于一對豎板相向的側面上、另一端均固定有一導電片，所述彈簧與所述導電片之間敷設有絕緣層，所述導電片上連接有一導電線；

電熱棒，其設置于所述下空腔內，所述下空腔內容納有水；

電源，其正極和負極分別與兩根導電線連接。

8.如權利要求7所述的低碳含量的燒結釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，所述導電片為銅片。