[發明專利]一種利用工業硅基廢渣制備碳化硅閉孔陶瓷及其制備方法在審
| 申請號: | 201811099175.7 | 申請日: | 2018-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN109133935A | 公開(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發明(設計)人: | 馬北越;張亞然;高陟;蘇暢;任鑫明;于敬雨;吳樺;于景坤 | 申請(專利權)人: | 東北大學 |
| 主分類號: | C04B35/573 | 分類號: | C04B35/573;C04B35/622;C04B38/06;C04B38/02 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 工業硅 廢渣 碳化硅 閉孔 陶瓷 混勻物料 燒結助劑 還原劑 造孔劑 粘結劑 閉口氣孔 干壓成型 還原氣氛 抗熱震性 物料混合 質量配比 燒結 高溫爐 氣孔率 熱導率 配比 球磨 保溫 | ||
1.一種利用工業硅基廢渣制備碳化硅閉孔陶瓷,其特征在于,包括的組分及質量配比為:工業硅基廢渣∶還原劑∶粘結劑∶燒結助劑∶造孔劑=100∶(30~60)∶(3~5)∶(5~60)∶(5~60)。
2.根據權利要求1所述的利用工業硅基廢渣制備碳化硅閉孔陶瓷,其特征在于,所述的工業硅基廢渣為煤矸石、鐵礦石尾礦、多晶硅切割廢料或稻殼灰中的一種或幾種;所述的還原劑為炭黑、優質煤或活性炭中的一種或多種;所述的粘結劑為酚醛樹脂、水玻璃、磷酸二氫鋁或聚乙烯醇中的一種或多種;所述的燒結助劑為鉀長石、鈉長石或鈣長石中的一種或多種;所述的造孔劑為淀粉、石墨、碳酸氫銨或氯化銨中的一種或多種。
3.根據權利要求1所述的利用工業硅基廢渣制備碳化硅閉孔陶瓷,其特征在于,所述的碳化硅閉孔陶瓷顯氣孔率為30~55%,閉口氣孔率為12~20%,常溫抗壓強度為106~140MPa,抗熱震性為103~111次,熱導率為0.40~0.69w/(m·K)。
4.根據權利要求3所述的利用工業硅基廢渣制備碳化硅閉孔陶瓷,其特征在于,所述的碳化硅閉孔陶瓷的抗熱震性能以空冷的循環次數來表征,具體操作:在1000℃的高溫爐加熱15min后,空冷10min為1次;然后再放回爐中于1000℃保溫15min后空冷10min,如此循環操作直至試樣碎裂。
5.權利要求1所述的一種利用工業硅基廢渣制備碳化硅閉孔陶瓷的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1,原料混合:
按配比,工業硅基廢渣∶還原劑∶粘結劑∶燒結助劑∶造孔劑=100∶(30~60)∶(3~5)(5~60)(5~60),將物料混合均勻,球磨得混勻物料;
步驟2,干壓成型:
將混勻物料干壓成型,并干燥;
步驟3,高溫燒結:
將干燥后物料置于高溫爐中,于還原氣氛下燒結并保溫一定時間,制得利用工業硅基廢渣制備碳化硅閉孔陶瓷。
6.根據權利要求5所述的利用工業硅基廢渣制備碳化硅閉孔陶瓷的制備方法,其特征在于,所述的步驟1中,工業硅基廢渣在混合前經高溫煅燒與粉碎過篩處理,用于去除工業硅基廢渣中的雜質,制得硅基熟料后按配比混合。
7.根據權利要求5所述的利用工業硅基廢渣制備碳化硅閉孔陶瓷的制備方法,其特征在于,所述的步驟1中,所述的煅燒操作在煅燒爐中進行,煅燒溫度為900℃,煅燒時間為5h,所述的煅燒爐為在無保護氣氛下使用的箱式電阻絲爐、硅碳棒爐、硅鉬棒爐和隧道窯中的一種;所述的粉碎過篩處理過程為:采用顎式破碎機粉碎處理,粉末經200目篩后,制得硅基熟料。
8.根據權利要求5所述的利用工業硅基廢渣制備碳化硅閉孔陶瓷的制備方法,其特征在于,所述的步驟1中,所述的硅基熟料和還原劑在物料混合之前,經過球磨處理,硅基熟料和還原劑球磨采用的設備為行星式球磨機,以200~600r·min-1轉速單向運行5~10h;所有物料混合后的球磨采用的設備為行星式球磨機,以300r·min-1轉速單向運行5h。
9.根據權利要求5所述的利用工業硅基廢渣制備碳化硅閉孔陶瓷的制備方法,其特征在于,所述的步驟2中,所用成型壓力為50~300MPa,保壓時間為3~5min;所所述的干燥操作的干燥溫度為120℃,干燥時間為12~24h,干燥設備為干燥箱或隧道干燥窯。
10.根據權利要求5所述的利用工業硅基廢渣制備碳化硅閉孔陶瓷的制備方法,其特征在于,所述的步驟3中,所述的燒結溫度為1400~1600℃,燒結保溫時間為2~10h;所述的還原氣氛為埋碳或通入CO氣氛下,其中:埋碳條件為:干壓成型的物料置于石墨坩堝中,石墨坩堝置于大尺寸剛玉坩堝中,在剛玉坩堝中放入充足的石墨粉,剛玉坩堝上端蓋一塊剛玉板,隔絕石墨坩堝與外界空氣的接觸;通入CO條件為:由高溫爐底或窯的一側通入CO氣體,氣體流量為1~100L/min。
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