[發(fā)明專利]高電子遷移率晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811098772.8
• 申請日: 2014-08-21
• 公開（公告）號(hào): CN109390396B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱顯欽;童建凱;林恒光;楊治琟;王祥駿
• 申請（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L29/15;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/417;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種高電子遷移率晶體管，其特征在于，包含：

基板；

外延疊層，位于該基板上；

陣列電極結(jié)構(gòu)，包含：柵極，位于該外延疊層上；多個(gè)源極，位于該外延疊層上，并相鄰于該柵極；以及多個(gè)漏極相鄰于該柵極；

第一電橋；以及

第二電橋；

其中，該柵極包含第一側(cè)、第二側(cè)、第三側(cè)、以及第四側(cè)；

其中，該第一側(cè)和該第三側(cè)為相對側(cè)，該第二側(cè)和該第四側(cè)為相對側(cè)；

其中，該多個(gè)源極包含第一源極及第二源極分別配置于該第一側(cè)和該第三側(cè)；以及該多個(gè)漏極包含第一漏極及第二漏極分別配置于該第二側(cè)和該第四側(cè)；

其中，該第一電橋電連接到該第一源極與該第二源極；以及該第二電橋電連接到該第一漏極與該第二漏極。

2.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其中該陣列電極結(jié)構(gòu)還包含第一指狀電極延伸自該柵極。

3.如權(quán)利要求2所述的高電子遷移率晶體管，其中該陣列電極結(jié)構(gòu)更包含多個(gè)第二指狀電極延伸自該第一源極及該第二源極其中之一。

4.如權(quán)利要求3所述的高電子遷移率晶體管，其中該陣列電極結(jié)構(gòu)還包含多個(gè)第三指狀電極延伸自該第一漏極及該第二漏極其中之一。

5.如權(quán)利要求3所述的高電子遷移率晶體管，其中該第一指狀電極環(huán)繞該多個(gè)第二指狀電極其中之一。

6.如權(quán)利要求4所述的高電子遷移率晶體管，其中該第一指狀電極環(huán)繞該多個(gè)第三指狀電極其中之一。

7.如權(quán)利要求4所述的高電子遷移率晶體管，其中該第一指狀電極的長度大于該多個(gè)第二指狀電極其中之一的長度或該多個(gè)第三指狀電極其中之一的長度。

8.如權(quán)利要求4所述的高電子遷移率晶體管，還包含第三電極墊，位于該外延疊層上，其中該多個(gè)第三指狀電極其中之一電連接該多個(gè)漏極其中之一與該第三電極墊。

9.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其中該第一電橋位于該第一源極與該第二源極之間并橫跨該柵極，或該第二電橋位于該第一漏極與該第二漏極之間并橫跨該柵極。

10.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其中該基板相對于該陣列電極結(jié)構(gòu)的另一側(cè)包含凹陷區(qū)域。

11.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，還包含導(dǎo)電層；以及

絕緣層，位于該導(dǎo)電層與該基板之間。