[發明專利]SiC器件樣品的制備方法及SiC器件的形貌分析方法

有效

• 申請號: 201811098038.1
• 申請日: 2018-09-20
• 公開（公告）號: CN110940689B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 金志明;陳倩
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: G01N23/22
• 分類號: G01N23/22;G01N23/2202
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種SiC器件樣品的制備方法，其特征在于，包括：

去除SiC器件表面上不導電的保護層；

形成所述SiC器件的縱剖面，露出需要觀察的結結構；

形成覆蓋所述SiC器件的表面以及所述縱剖面上的導電層；

去除所述縱剖面上的至少部分導電層，以形成SiC器件樣品；所述至少部分導電層包括感興趣區域中的導電層；

其中，所述形成覆蓋所述SiC器件的表面以及所述縱剖面上的導電層之前的步驟包括：在所述縱剖面中被選中的所述感興趣區域覆蓋保護材料；所述感興趣區域中存在結結構；

所述形成覆蓋所述SiC器件的表面以及所述縱剖面上的導電層之后的步驟包括：去除所述感興趣區域上的保護材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述縱剖面上的至少部分導電層，以形成SiC器件樣品的步驟，是去除所述縱剖面中被選中的所述感興趣區域中的導電層，從而形成由掃描電鏡觀察所述感興趣區域中的結形貌的SiC器件樣品；其中，所述感興趣區域中存在結結構。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，

所述去除所述縱剖面中被選中的所述感興趣區域中的導電層的步驟是利用惰性氣體離子轟擊所述縱剖面中被選中的感興趣區域，以去除所述感興趣區域中的導電層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述縱剖面上的至少部分導電層的步驟是利用拋光工藝去除整個所述縱剖面上的導電層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成覆蓋所述SiC器件的表面以及所述縱剖面的導電層之后，去除所述縱剖面上的至少部分導電層之前的步驟包括：

利用掃描電鏡發出的電子束掃描所述SiC器件的表面；

檢測所述SiC器件的表面是否發生充電效應；

若是，則返回所述形成覆蓋所述SiC器件的表面以及所述縱剖面的導電層的步驟，以增加導電層的厚度。

6.根據權利要求1-5任一項所述的方法，其特征在于，

所述形成覆蓋所述SiC器件的表面以及所述縱剖面的導電層的步驟是利用濺射工藝形成覆蓋所述SiC器件的表面以及所述縱剖面的導電層。

7.根據權利要求1-5任一項所述的方法，其特征在于，

所述保護層是聚酰亞胺層。

8.根據權利要求1-5任一項所述的方法，其特征在于，所述形成所述SiC器件的縱剖面，露出需要觀察的結結構的步驟包括：

在所述縱剖面上進行拋光，直至露出需要觀察的結結構。

9.一種SiC器件的結形貌分析方法，其特征在于，包括：

根據權利要求1-8中任一項所述的方法制備SiC器件樣品；

使用掃描電子顯微鏡獲取所述SiC器件樣品的結形貌數據。