[發明專利]用于高脈沖磁控濺射的同步控制器在審
| 申請號： | 201811095643.3 | 申請日： | 2018-09-19 |
| 公開（公告）號： | CN109518144A | 公開（公告）日： | 2019-03-26 |
| 發明（設計）人： | 維亞斯拉夫·巴巴揚;華鐘強;吳夢露;阿道夫·米勒·艾倫;巴爾加夫·西特拉 | 申請（專利權）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國;趙靜 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 時序信號 脈沖同步控制器 偏壓發生器 脈沖 發生器 電極 供電 斷電 半導體處理系統 發送 方法和設備 基板支撐件 同步控制器 處理基板 磁控濺射 初始化 高脈沖 濺射靶 耦接 響應 | ||
1.一種脈沖同步系統，包括：
靶功率源，所述靶功率源與設置在處理腔室中的濺射靶連通，其中所述功率源可操作以在第一靶電壓與第二靶電壓之間改變靶偏壓；
RF偏壓源，所述RF偏壓源與設置在基板支撐件中的RF電極連通，其中所述RF偏壓源被配置為在第一電極電壓與第二電極電壓之間向所述RF電極供電；和
同步控制器，所述同步控制器耦接至所述RF偏壓源和所述靶功率源，其中所述同步控制器提供多個同步信號以用于使所述RF偏壓源和所述靶功率源輸入各自的第一電壓或第二電壓。
2.如權利要求1所述的脈沖同步系統，其中所述同步控制器進一步包括：
第一持續時間的第一開啟信號，所述第一開啟信號被配置為激活所述RF偏壓源和所述靶功率源二者；
第二持續時間的第一關閉信號，所述第一關閉信號被配置為去激活(deactivate)所述RF偏壓源和所述靶功率源；和
第三持續時間的第二開啟信號，所述第二開啟信號被配置為僅激活所述RF偏壓源。
3.如權利要求2所述的脈沖同步系統，其中所述RF偏壓源在所述第一開啟信號激活時，對所述RF電極供電具有延遲。
4.如權利要求3所述的脈沖同步系統，其中對所述RF電極供電的延遲為約3μs。
5.如權利要求1所述的脈沖同步系統，其中所述同步控制器進一步包括：
第一持續時間的第一開啟信號，所述第一開啟信號被配置為激活所述RF偏壓源和所述靶功率源二者；
第二持續時間的第一關閉信號，所述第一關閉信號被配置為去激活所述RF偏壓源和所述靶功率源；和
第三持續時間的第二開啟信號，所述第二開啟信號被配置為激活所述RF偏壓源和所述靶功率源二者。
6.如權利要求1所述的脈沖同步系統，其中所述同步信號為低于約24V的低壓。
7.一種基板處理系統，包括：
基板處理腔室，包括：
腔室主體，所述腔室主體具有側壁和底部；
蓋組件，所述蓋組件位于形成內部容積的所述腔室主體上，所述蓋組件具有濺射靶；和
基板支撐件，所述基板支撐件具有電極，所述基板支撐件設置在位于所述蓋組件下方的所述內部容積中，所述基板支撐件被配置為在處理期間支撐基板；和
脈沖同步系統，包括：
靶功率源，所述靶功率源與設置在處理腔室中的濺射靶連通，其中所述功率源可操作以在第一靶電壓與第二靶電壓之間改變靶偏壓；
RF偏壓源，所述RF偏壓源與設置在基板支撐件中的RF電極連通，其中所述RF偏壓源被配置為在第一電極電壓與第二電極電壓之間向所述RF電極供電；和
同步控制器，所述同步控制器耦接至所述RF偏壓源和所述靶功率源，其中所述同步控制器提供多個同步信號以用于使所述RF偏壓源和所述靶功率源輸入各自的第一電壓或第二電壓。
8.如權利要求7所述的基板處理系統，其中所述同步控制器進一步包括：
第一持續時間的第一開啟信號，所述第一開啟信號被配置為激活所述RF偏壓源和所述靶功率源二者；
第二持續時間的第一關閉信號，所述第一關閉信號被配置為去激活所述RF偏壓源和所述靶功率源；和
第三持續時間的第二開啟信號，所述第二開啟信號被配置為僅激活所述RF偏壓源。
9.如權利要求8所述的基板處理系統，其中所述RF偏壓源在所述第一開啟信號激活時，對所述RF電極供電具有延遲。
10.如權利要求9所述的基板處理系統，其中對所述RF電極供電的延遲為約3μs。
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