[發明專利]槽底肖特基接觸SiC MOSFET器件

有效

• 申請號: 201811094176.2
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN109244136B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 李軒;肖家木;鄧小川;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/47;H01L29/06
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡;葛啟函

1.一種槽底肖特基接觸SiC MOSFET器件，其特征在于，包括：N型襯底(12)、位于N型襯底(12)上方的N型外延層(10)、位于N型外延層(10)上方的P-body區(20)、位于P-body區(20)上方區的P+接觸區(21)和N+接觸區(11)、位于P-body區(20)之間的氧化層(4)和柵極(3)、位于柵極(3)下方的肖特基接觸電極(53)，且肖特基接觸電極(53)與柵極(3)之間填充有氧化層(4)，肖特基接觸電極(53)與N型外延層(10)形成肖特基接觸，位于肖特基接觸電極(53)下方且與所述肖特基接觸電極(53)接觸的P-shield區(22)，位于P+接觸區(21)和N+接觸區(11)上方的源極(51)，且源極(51)同時與P+接觸區(21)和N+接觸區(11)都形成歐姆接觸，位于N型襯底(12)下方的漏極(52)，且漏極(52)與N型襯底(12)形成歐姆接觸，源極(51)與肖特基接觸電極(53)通過版圖方式連接，使得二者電位相等。

2.根據權利要求1所述的槽底肖特基接觸SiC MOSFET器件，其特征在于：柵極(3)分裂為兩個側柵，且側柵中間填充有氧化層(4)。

3.根據權利要求1所述的槽底肖特基接觸SiC MOSFET器件，其特征在于：柵極(3)分裂為兩個側柵，側柵中間填充有金屬使得源極(51)與肖特基接觸電極(53)連成為同一個區域，該區域為金屬電極(54)，金屬電極(54)與柵極(3)之間填充有氧化層(4)。

4.根據權利要求1所述的槽底肖特基接觸SiC MOSFET器件，其特征在于：柵極(3)與肖特基接觸電極(53)之間設有分離柵(31)，且分離柵(31)與柵極(3)、肖特基接觸電極(53)、N型外延層(10)、P-shield區(22)之間填充有氧化層(4)。

5.根據權利要求1所述的槽底肖特基接觸SiC MOSFET器件，其特征在于：P+接觸區(21)位于P-body區(20)內部，且P+接觸區(21)與N+接觸區(11)通過歐姆接觸形成源極(51)。

6.根據權利要求1所述的槽底肖特基接觸SiC MOSFET器件，其特征在于：P+接觸區(21)下方設有深P-well區(23)，深P-well區(23)與氧化層(4)、肖特基接觸電極(53)、P-shield區(22)相離，且深P-well區(23)的結深比P-body區(20)深。

7.根據權利要求1～6任意一項所述的槽底肖特基接觸SiC MOSFET器件，其特征在于：P-shield區(22)為連續的一片區域，或分離的多個子區域。

8.根據權利要求7所述的槽底肖特基接觸SiC MOSFET器件，其特征在于：P-shield區(22)相鄰分離的子區域之間設有槽底N型接觸區(13)。

9.根據權利要求1～6任意一項所述的槽底肖特基接觸SiC MOSFET器件，其特征在于：所述器件中各摻雜類型相應變為相反的摻雜，即P型摻雜變為N型摻雜的同時N型摻雜變為P型摻雜。