[發明專利]一種VDMOS器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201811093637.4
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN109103110B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 盛世瑤蘭（深圳）科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 深圳市蘭鋒盛世知識產權代理有限公司 44504
• 代理人: 馬世中

1.一種VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一導電類型的襯底，在所述襯底上形成第一導電類型的外延層；

在所述外延層上表面依次生長柵氧化層以及位于所述柵氧化層表面且具有第一開口的多晶硅層；

在所述外延層表面區域形成第二導電類型的體區；

在所述柵氧化層及所述多晶硅層上表面形成第一介質層；

在所述第一開口內形成沿所述第一開口的長度方向上間隔排列的多個源區光刻膠；

對所述第一介質層進行濕法腐蝕，以去除未被所述源區光刻膠覆蓋的第一介質層以及被所述源區光刻膠覆蓋的部分所述第一介質層，所保留的第一介質層為第二介質層；

對所述柵氧化層進行干法刻蝕，去除所述源區光刻膠下方以外的所述柵氧化層，以形成階梯狀的源區注入窗口；

在所述體區表面區域形成第一導電類型的源區。

2.如權利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述源區包括第一部分以及位于所述第一部分上的第二部分，所述第二部分的寬度大于所述第一部分。

3.權利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述源區光刻膠的寬為4um，長度為7um。

4.權利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，相鄰兩個所述源區光刻膠的間距為2um。

5.權利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在所述體區表面區域形成第一導電類型源區之后，所述方法還包括：依次形成深體區、第三介質層以及金屬層，其中，所述深體區形成于所述體區的表面區域且與所述源區連接，所述第三介質層形成于所述多晶硅層及所述柵氧化層上表面，所述金屬層形成于所述源區、所述深體區和所述第三介質層上表面。