[發明專利]一種基于石墨烯和光柵結合的寬帶動態可調RCS縮減結構

有效

• 申請號: 201811093598.8
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN109239824B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 羅先剛;宋甲坤;黃成;馬曉亮;蒲明博
• 申請（專利權）人: 中國科學院光電技術研究所
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;H01Q15/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于石墨烯和光柵結合的寬帶動態可調RCS縮減結構，其特征在于：由下到上依次由底部金屬層、介質層、石墨烯電控層、高折射率光柵層組成，其中石墨烯電控層依次自下到上由高方阻薄膜層，浸潤離子液的絕緣介質層和PET基底石墨烯層構成；高折射率光柵層將入射電磁波散射到其它方向以及利用石墨烯電控層、介質層和底部金屬層構成Salisbury屏進一步吸收入射電磁波實現RCS縮減；通過對石墨烯電控層施加外加偏壓來控制石墨烯方阻實現RCS縮減的動態調控；

所述的介質層的厚度為d，其取值范圍為λ₀/10dλ₀/3，λ₀為中心波長；

所述的石墨烯電控層中的PET基底石墨烯層為轉移到介質基底上的石墨烯；所述的絕緣介質層為可吸附離子液體的介質隔膜，浸潤液體為離子液體，為DEMETFSI；所述的高方阻薄膜層方阻大于PET基底石墨烯層方阻；

所述的高折射率光柵層為周期性高折射率材料方塊陣列結構，其周期為P，對應取值范圍為P2λ₀，λ₀為中心波長，其方塊邊長為W，對應取值范圍為P/4≤W≤3P/3，其介電常數為ε_s，對應取值范圍為7≤ε_s≤15；

通過引入PET基底石墨烯層，浸潤離子液的絕緣介質層和高方阻薄膜層構成的石墨烯電控層，與高折射率光柵層構成了多層結構，結合輻射損耗和吸收損耗兩種手段來拓展RCS縮減帶寬，通過改變石墨烯電控層的外加偏壓即可實現寬帶范圍內實現RCS縮減強度的動態調控，此外該動態可調RCS縮減結構具有極化不敏感，具有調控帶寬寬的優勢。