[發明專利]太陽能電池中的相對摻雜物濃度水平

有效

• 申請號: 201811093497.0
• 申請日: 2015-05-21
• 公開（公告）號: CN108987499B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 大衛·D·史密斯;斯塔凡·韋斯特貝格
• 申請（專利權）人: 太陽能公司
• 主分類號: H01L31/0288
• 分類號: H01L31/0288;H01L31/0368;H01L31/065;H01L31/18
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張娜;顧麗波

1.一種太陽能電池，包括：

基板，所述基板包括正面和與所述正面相背對的背面，所述正面面向太陽以在正常操作期間接收太陽輻射；

P型擴散區，所述P型擴散區位于所述基板的背面上方，所述P型擴散區由包括具有第一摻雜物濃度水平的第一摻雜物源的P型摻雜區形成，其中所述P型擴散區包括硼，所述硼的摻雜物濃度水平小于5E17/cm3；

N型擴散區，所述N型擴散區位于所述基板的背面上方且鄰近所述P型擴散區，其中所述N型擴散區由包括第二摻雜物濃度水平的N型摻雜區形成，所述第二摻雜物濃度水平大于所述第一摻雜物濃度水平；

電介質層，所述電介質層設置在所述P型擴散區和所述N型擴散區的上方；以及

鈍化區，所述鈍化區位于所述P型擴散區和所述N型擴散區之間的邊界區處，其中所述鈍化區包括氫。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中所述N型擴散區包括磷，所述磷的摻雜物濃度水平大于1E20/cm3的10％。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中電介質層包括氮化硅。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中所述P型摻雜區和所述N型摻雜區設置在所述基板上方的薄電介質層上方。

5.根據權利要求4所述的太陽能電池，其中所述薄電介質層包括二氧化硅或氮化硅。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池，還包括：

第一金屬接觸指，所述第一金屬接觸指耦接至所述P型擴散區，所述P型擴散區由所述基板的所述背面上的所述P型摻雜區形成；以及

第二金屬接觸指，所述第二金屬接觸指耦接至所述N型擴散區，所述N型擴散區由所述基板的所述背面上的所述N型摻雜區形成。

7.一種太陽能電池，所述太陽能電池包括：

基板，所述基板包括正面和與所述正面相背對的背面，所述正面面向太陽以在正常操作期間接收太陽輻射；

多晶硅層，所述多晶硅層形成在所述基板的背面上方；

P型擴散區，所述P型擴散區形成在所述多晶硅層中，所述P型擴散區由包括具有第一摻雜物濃度水平的第一摻雜物源的P型摻雜區形成，其中所述P型擴散區的第一摻雜物濃度水平小于5E17/cm3；

N型擴散區，所述N型擴散區形成在所述多晶硅層中且鄰近所述P型擴散區，其中所述N型擴散區由包括第二摻雜物濃度水平的N型摻雜區形成，所述第二摻雜物濃度水平大于所述第一摻雜物濃度水平；以及

鈍化區，所述鈍化區位于所述P型擴散區和所述N型擴散區之間的邊界區處，其中所述鈍化區包括氫。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池，其中用于形成所述P型擴散區的P型摻雜物源與用于形成所述N型擴散區的N型摻雜物源的濃度比為1:100。

9.根據權利要求7所述的太陽能電池，其中電介質層包括氮化硅。

10.根據權利要求7所述的太陽能電池，其中所述P型摻雜區和所述N型摻雜區設置在所述基板上方的薄電介質層上方。

11.根據權利要求10所述的太陽能電池，其中所述薄電介質層包括二氧化硅或氮化硅。

12.一種制造太陽能電池的方法，所述方法包括：

在基板的上方由P型摻雜區形成P型擴散區，所述P型摻雜區包括具有第一摻雜物濃度水平的第一摻雜物源，其中在基板的上方形成P型擴散區包括在小于5E17/cm3的摻雜物濃度水平下使用硼作為P型摻雜物源；

在所述基板的上方且鄰近所述P型擴散區由N型摻雜區形成N型擴散區，所述N型摻雜區包括具有第二摻雜物濃度水平的第二摻雜物源，其中所述第一摻雜物濃度水平小于所述第二摻雜物濃度水平；以及

使用氫鈍化所述P型擴散區與所述N型擴散區之間的邊界區。