[發明專利]探測基板及其制造方法、探測器

有效

• 申請號: 201811093391.0
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN109166943B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: 黃睿;周天民;楊昕;吳慧利
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/115
• 分類號: H01L31/115;H01L31/18
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

本申請公開一種探測基板及其制造方法、探測器，屬于光電探測領域。該探測基板包括襯底基板以及設置在襯底基板上的多個探測單元，多個探測單元中的每個探測單元包括光電二極管組件和薄膜晶體管，在每個探測單元中：薄膜晶體管與光電二極管組件連接，薄膜晶體管搭接在光電二極管組件的側面。本申請有利于提升探測基板的探測分辨率。本申請用于光電探測。

技術領域

本申請涉及光電探測領域，特別涉及一種探測基板及其制造方法、探測器。

背景技術

數字化X射線攝影(英文：Digital RadioGraphy；簡稱：DR)技術是一種廣泛使用的X射線檢測技術，DR技術包括直接(英文：Direct)轉換DR技術和間接(英文：Indirect)轉換DR技術，基于間接DR技術的探測器具有開發成熟、成本低和穩定性好等優勢，在醫療、安全檢測和無損檢測等領域得到廣泛應用。

相關技術中，基于間接DR技術的探測器包括探測基板以及設置在探測基板上的閃爍體層(或熒光體層)等結構，探測基板包括襯底基板以及陣列排布在襯底基板上的多個探測單元，每個探測單元包括薄膜晶體管(英文：Thin Film Transistor；簡稱：TFT)和光電二極管，TFT平鋪在襯底基板上，且TFT與光電二極管連接。該探測器在使用時，采用X射線照射探測器，閃爍體層(或熒光體層)將X射線轉換為可見光，光電二極管探測到可見光后，將可見光轉換為電信號，然后將電信號傳輸至TFT，以由TFT輸出。

在實現本申請的過程中，發明人發現相關技術至少存在以下問題：

由于TFT平鋪在襯底基板上，因此在每個探測單元中，TFT在襯底基板上的正投影區域的面積較大，導致光電二極管的填充率(光電二極管在襯底基板上的正投影區域的面積與其所在的探測單元在襯底基板上的正投影區域的面積的比值)較低，探測基板的信噪比較低，在TFT在襯底基板上的正投影區域的面積固定的情況下，需要增大探測單元在襯底基板上的正投影區域的面積來提升探測單元中光電二極管的填充率，以維持探測基板的信噪比。但是增大探測單元在襯底基板上的正投影區域的面積會阻礙探測基板的探測分辨率(襯底基板上單位面積內所能設置的探測單元的數量)的提升。

發明內容

本申請提供一種探測基板及其制造方法、探測器，有利于提升探測基板的探測分辨率。本申請的技術方案如下：

第一方面，提供一種探測基板，所述探測基板包括：襯底基板以及設置在所述襯底基板上的多個探測單元，所述多個探測單元中的每個探測單元包括光電二極管組件和薄膜晶體管，在每個探測單元中：所述薄膜晶體管與所述光電二極管組件連接，所述薄膜晶體管搭接在所述光電二極管組件的側面。

可選地，所述光電二極管組件包括：光電二極管，所述薄膜晶體管與所述光電二極管連接，所述薄膜晶體管搭接在所述光電二極管的側面。

可選地，所述光電二極管組件包括：光電二極管和承載結構，所述薄膜晶體管與所述光電二極管連接，所述薄膜晶體管搭接在所述承載結構的側面。

可選地，所述多個探測單元中，相鄰的探測單元中的承載結構為一體結構。

可選地，所述光電二極管組件的側面中，所述薄膜晶體管所搭接的側面與所述襯底基板的板面之間存在傾角。

可選地，所述光電二極管包括疊加設置的下電極、P型非晶硅層、本征非晶硅層、N型半導體層和上電極，所述薄膜晶體管包括依次設置的漏極、有源層、柵絕緣層、柵極和源極，所述源極和所述漏極分別與所述有源層連接，所述漏極與所述下電極為一體結構，所述N型半導體層的形成材料和所述有源層的形成材料均為氧化物半導體。

可選地，所述探測基板還包括：

設置在所述光電二極管的側面上的側壁保護層，以及，設置在所述有源層上的漏極保護層，所述有源層位于所述側壁保護層上。