[發(fā)明專利]量子點(diǎn)發(fā)光層、量子點(diǎn)發(fā)光器件及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811093032.5
• 申請(qǐng)日: 2018-09-19
• 公開（公告）號(hào): CN109256476B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 代青
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

1.一種量子點(diǎn)發(fā)光層，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層用于制備電致量子點(diǎn)發(fā)光器件；

所述量子點(diǎn)發(fā)光層包括：金屬有機(jī)框架層；

嵌于所述金屬有機(jī)框架層的孔隙中的量子點(diǎn)；

所述金屬有機(jī)框架層的材質(zhì)選自MCF-62、MCF-63、MAF-2、MIL-88、HKUST-1、Tb-BDC、MOF-74、MCF-82或SHF-6。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光層，其特征在于，所述孔隙的直徑為2nm-10nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光層，其特征在于，所述量子點(diǎn)選自CdSe/ZnS、CdSe/CdS、CdTe、InAs/ZnS或ZnSe:Cu²⁺。

4.一種量子點(diǎn)發(fā)光層的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：提供金屬有機(jī)框架原料液，將所述金屬有機(jī)框架原料液涂覆于襯底基板或功能層上，干燥，形成金屬有機(jī)框架層；

提供量子點(diǎn)原料液，將所述量子點(diǎn)原料液涂覆于所述金屬有機(jī)框架層上，干燥，所述金屬有機(jī)框架層的孔隙中嵌入量子點(diǎn)，得到所述量子點(diǎn)發(fā)光層；

所述量子點(diǎn)發(fā)光層用于制備電致量子點(diǎn)發(fā)光器件；

所述金屬有機(jī)框架層的原料選自MCF-62、MCF-63、MAF-2、MIL-88、HKUST-1、Tb-BDC、MOF-74、MCF-82或SHF-6。

5.一種電致量子點(diǎn)發(fā)光器件，包括權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的量子點(diǎn)發(fā)光層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件包括：由下至上依次層疊的透明導(dǎo)電電極、空穴傳輸層、所述量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層、金屬電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件包括：由下至上依次層疊的透明導(dǎo)電電極、電子傳輸層、所述量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴傳輸層、金屬電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光器件包括：由下至上依次層疊的透明導(dǎo)電電極、所述量子點(diǎn)發(fā)光層、金屬電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求5-8任一項(xiàng)所述的電致量子點(diǎn)發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的厚度為10nm-500nm。