[發明專利]存儲器結構的形成方法

在審

• 申請號: 201811092598.6
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN109256391A
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 向銀松;劉隆冬;任連娟
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳

1.一種存儲器結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底表面形成有堆疊結構，所述堆疊結構包括沿垂直襯底表面方向交替堆疊的犧牲層和絕緣層；

形成貫穿所述堆疊結構的溝道孔；

沿所述溝道孔側壁對所述犧牲層進行回刻蝕，形成位于相鄰絕緣層之間的凹槽；

形成至少填充所述凹槽的柵介質層；

在所述溝道孔內形成溝道孔結構。

2.根據權利要求1所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，所述柵介質層填充滿所述凹槽，且覆蓋所述溝道孔側壁表面。

3.根據權利要求1所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，所述柵介質層僅填充于所述凹槽內，所述柵介質層的形成方法包括：形成覆蓋所述溝道孔內壁表面以及填充滿所述凹槽的柵介質材料層；去除位于所述溝道孔內壁表面的柵介質材料層，保留凹槽內的柵介質材料層作為柵介質層。

4.根據權利要求3所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，采用原子層沉積工藝形成所述柵介質材料層。

5.根據權利要求3所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，采用各向同性的干法刻蝕工藝去除位于所述溝道孔內壁表面的柵介質材料層。

6.根據權利要求1所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，所述柵介質層的材料為高K介電材料。

7.根據權利要求1所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，所述溝道孔結構的形成方法包括：形成覆蓋所述溝道孔側壁表面的電荷阻擋層、覆蓋所述電荷阻擋層的電荷捕獲層、覆蓋所述電荷捕獲層的隧穿層以及覆蓋所述隧穿層的溝道層；在所述溝道層表面形成填充于所述溝道孔的溝道介質層。

8.根據權利要求1所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，還包括：形成貫穿所述堆疊結構的柵線隔槽；沿所述柵線隔槽側壁去除所述犧牲層，形成位于相鄰絕緣層之間的開口；形成填充所述開口的控制柵極；形成位于所述柵線隔槽內的陣列共源極。

9.根據權利要求8所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，所述控制柵極包括覆蓋所述開口內壁表面的擴散阻擋層以及位于所述擴散阻擋層表面填充滿所述開口的柵極。

10.根據權利要求8所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，所述堆疊結構包括核心區域和圍繞所述核心區域的臺階區域，所述臺階區域暴露出每一層犧牲層的端部；所述襯底表面還形成有覆蓋所述臺階區域的介質層；去除所述犧牲層并形成控制柵極之后，所述臺階區域的介質層位于所述控制柵極的端部表面；所述存儲器結構的形成方法還包括：形成貫穿所述介質層至控制柵極端部表面的接觸部。