[發明專利]一種基于單晶硅基底的紅外靶標及其制作方法、保護結構有效
| 申請號： | 201811092252.6 | 申請日： | 2018-09-19 |
| 公開（公告）號： | CN110926620B | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 宋春暉;曹清政;王加朋;王瑩瑩 | 申請（專利權）人： | 北京振興計量測試研究所 |
| 主分類號： | G01J5/02 | 分類號： | G01J5/02;G01J5/08 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100074 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 單晶硅 基底 紅外 靶標 及其 制作方法 保護 結構 | ||
1.一種基于單晶硅基底的紅外靶標，其特征在于，包括單晶硅基底；
所述單晶硅基底的厚度為100μm；
所述單晶硅基底上設置有鏤空圖形；
所述單晶硅基底為圓形結構，所述鏤空圖形設置在所述單晶硅基底的幾何中心處；
所述鏤空圖形為四桿靶，所述四桿靶的狹縫寬度為44μm至56μm，狹縫長度為350μm；
所述單晶硅基底的反射面上設置有高反射率膜；
所述高反射率膜上設置有保護膜。
2.根據權利要求1所述的基于單晶硅基底的紅外靶標，其特征在于，所述高反射率膜為金膜，所述保護膜為硫化鋅膜。
3.根據權利要求2所述的基于單晶硅基底的紅外靶標，其特征在于，所述高反射率膜的厚度為150nm，所述保護膜的厚度為200nm。
4.一種基于單晶硅基底的紅外靶標的制作方法，其特征在于，包括：
制備單晶硅基底；
對所述單晶硅基底的反射面進行拋光處理；
采用激光切割對所述單晶硅基底進行圖案化，形成鏤空圖形；
在所述單晶硅基底的反射面上鍍高反射率膜；
在所述高反射率膜上鍍保護膜，形成紅外靶標；
將所述紅外靶標安裝于保護結構中；
對所述紅外靶標進行尺寸測量和反射率測量；
對所述紅外靶標進行反射率測量，包括：
將標準點源黑體加熱至500℃，采用熱像儀對準標準點源黑體的輻射口，獲得輻射口的第一溫場圖像；
將所述紅外靶標與所述標準點源黑體的輻射呈45°放置，獲得輻射口經紅外靶標后的第二溫場圖像；
根據所述第一溫場圖像和第二溫場圖像計算獲得溫度平均值，根據所述溫度平均值計算紅外靶標的反射率；
所述反射率通過以下公式進行計算：
ε＝(Te/Ts)4；
其中，ε為反射率，Te為通過第二溫場圖像獲得的溫度平均值，Ts為通過第一溫場圖像獲得的溫度平均值。
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