[發明專利]存儲器的形成方法

有效

• 申請號: 201811092078.5
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN109326507B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 王秉國;宋海;李磊
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/324;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L29/167
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳

1.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一襯底，所述襯底表面形成有堆疊結構；

在所述堆疊結構內形成柵線隔槽，所述柵線隔槽貫穿所述堆疊結構至所述襯底表面；

采用原位摻雜工藝，在所述柵線隔槽內沉積具有摻雜原子的非晶半導體材料層，所述非晶半導體材料層填充滿所述柵線隔槽；

對所述非晶半導體材料層在630℃至670℃下退火處理0.5h～1.5h，使非晶半導體材料層結晶，轉換為多晶狀態的半導體層，所述摻雜原子能夠降低非晶半導體材料層退火轉換成所述半導體層的晶粒大小，以降低所述襯底發生翹曲的可能性。

2.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述摻雜原子為碳原子。

3.根據權利要求2所述的存儲器的形成方法，其特征在于，沉積非晶半導體材料層所采用的反應氣體包括：沉積氣體和摻雜氣體，所述沉積氣體包括含硅氣體，所述摻雜氣體為含碳氣體。

4.根據權利要求2所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述半導體層中碳原子與硅原子的物質的量的比值為5%~20%。

5.根據權利要求3所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述含碳氣體的氣體包括乙烯、乙炔、丙烯、丙炔中的至少一種；所述含硅氣體包括硅烷和乙硅烷中的至少一種。

6.根據權利要求3所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述反應氣體中碳原子的物質的量和硅原子的物質的量的比值為5%~20%。

7.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述堆疊結構包括沿垂直襯底表面方向交替堆疊的犧牲層和絕緣層，所述存儲器的形成方法還包括：在形成半導體層之前，沿所述柵線隔槽去除所述犧牲層，形成位于相鄰絕緣層之間的開口；在所述開口內形成控制柵結構層。

8.根據權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述半導體層之前，形成覆蓋所述柵線隔槽側壁的絕緣側墻。