[發(fā)明專利]一種真空卡盤以及鍵合設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811089622.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109087883A | 公開(公告)日: | 2018-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄒文;周云鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 吸附腔室 晶圓 子卡 真空卡盤 鍵合設(shè)備 晶圓邊緣 扭曲度 鍵合 圓盤狀結(jié)構(gòu) 光刻制程 鍵合工藝 真空吸附 減小鍵 均一性 吸附力 減小 制程 對(duì)準(zhǔn) | ||
1.一種真空卡盤,用于晶圓鍵合工藝,其特征在于,所述真空卡盤包括第一子卡盤和位于所述第一子卡盤上方的第二子卡盤,所述第一子卡盤包括第一吸附腔室,所述第一吸附腔室用于提供負(fù)壓環(huán)境以吸附第一晶圓,所述第二子卡盤包括第二吸附腔室,所述第二吸附腔室用于提供負(fù)壓環(huán)境以吸附第二晶圓,所述第一吸附腔室和第二吸附腔室均為圓盤狀結(jié)構(gòu),所述第二吸附腔室朝向所述第一吸附腔室,所述第一吸附腔室的直徑是所述第一晶圓的直徑的0.7~0.95倍。
2.如權(quán)利要求1所述的真空卡盤,其特征在于,所述第一吸附腔室的直徑是所述第一晶圓的直徑的0.85~0.9倍。
3.如權(quán)利要求1所述的真空卡盤,其特征在于,所述第二吸附腔室的直徑是所述第二晶圓的直徑的0.98~0.99倍。
4.如權(quán)利要求1所述的真空卡盤,其特征在于,進(jìn)行晶圓鍵合工藝時(shí),所述第二吸附腔室的中軸線與第一吸附腔室的中軸線重疊。
5.如權(quán)利要求1所述的真空卡盤,其特征在于,所述第一子卡盤為圓形卡盤,所述第一子卡盤的面積大于所述第一晶圓的面積。
6.如權(quán)利要求1所述的真空卡盤,其特征在于,所述第二子卡盤為圓形卡盤,所述第二子卡盤的面積大于所述第二晶圓的面積。
7.如權(quán)利要求6所述的真空卡盤,其特征在于,所述第二子卡盤還包括一通孔結(jié)構(gòu),所述通孔結(jié)構(gòu)貫穿第二子卡盤且位于所述第二吸附腔室中心位置,用于提供從第二晶圓和第一晶圓一側(cè)施加壓力的通道。
8.如權(quán)利要求1所述的真空卡盤,其特征在于,所述第一子卡盤的材質(zhì)為陶瓷,所述第二子卡盤的材質(zhì)為陶瓷。
9.一種鍵合設(shè)備,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的真空卡盤。
10.如權(quán)利要求9所述的鍵合設(shè)備,其特征在于,還包括第一對(duì)準(zhǔn)相機(jī)、第二對(duì)準(zhǔn)相機(jī)和處理控制器,所述第一對(duì)準(zhǔn)相機(jī)、第二對(duì)準(zhǔn)相機(jī)、真空卡盤的第一子卡盤和第二子卡盤分別與處理控制器連接,所述第一對(duì)準(zhǔn)相機(jī)與第二對(duì)準(zhǔn)相機(jī)面對(duì)設(shè)置,所述真空卡盤置于所述第一對(duì)準(zhǔn)相機(jī)與第二對(duì)準(zhǔn)相機(jī)之間,所述處理控制器用于控制所述真空卡盤移動(dòng)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),還用于控制所述第一對(duì)準(zhǔn)相機(jī)和第二對(duì)準(zhǔn)相機(jī)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),所述第一對(duì)準(zhǔn)相機(jī)與第二對(duì)準(zhǔn)相機(jī)用于反饋所述真空卡盤中的鍵合晶圓之間的位置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





