[發明專利]用于在基板上形成層的設備和在基板上形成層的方法

在審

• 申請號: 201811088265.6
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN109554691A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 李承憲;柳庚玟;吳暻錫;玄尚鎮
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/56;C23C16/54;C23C16/24
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

1.一種用于形成層的設備，所述設備包括：

裝載口，在所述裝載口上設置有基板保持器，所述基板保持器保持待處理的至少一個基板；

轉移腔室，所述轉移腔室連接到所述裝載口，并且將所述基板轉移到所述基板保持器或者從所述基板保持器轉移所述基板；

沉積腔室，所述沉積腔室設置在所述轉移腔室的一側處，并且對通過包括在所述轉移腔室中的轉移單元從所述轉移腔室轉移來的所述基板執行沉積工藝，由此在所述基板上形成所述層；以及

至少一個脫氫腔室，所述脫氫腔室設置在所述轉移腔室的另一側處，并且對通過所述轉移單元從所述轉移腔室轉移來的所述基板上的所述層執行脫氫工藝，由此減小所述層中的氫濃度。

2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述沉積腔室包括等離子體增強化學氣相沉積腔室，在所述等離子體增強化學氣相沉積腔室中，在相對低的溫度下執行所述沉積工藝。

3.根據權利要求2所述的設備，其中，所述層包括非晶硅層，所述非晶硅層是使用硅前體和活化氣體的混合物作為源氣體，通過等離子體增強化學氣相沉積工藝，在所述等離子體增強化學氣相沉積腔室中形成在所述基板上的。

4.根據權利要求2所述的設備，其中，所述相對低的溫度在300℃至500℃的范圍內。

5.根據權利要求1所述的設備，其中，所述脫氫腔室包括紫外線腔室，在所述紫外線腔室中，在室溫下將紫外線照射到所述基板上的所述層上，由此破壞所述層中的氫和硅之間的化學鍵。

6.根據權利要求5所述的設備，其中，所述室溫在10℃至30℃的范圍內。

7.根據權利要求1所述的設備，其中，所述脫氫腔室包括氫等離子體腔室，在所述氫等離子體腔室中，對所述基板上的所述層執行氫等離子體工藝，并且氫原子以氫氣的形式與所述層分離。

8.根據權利要求1所述的設備，其中，所述脫氫腔室包括紫外線區段和氫等離子體區段，在所述紫外線區段中，在室溫下將紫外線照射到所述基板上的所述層上，由此破壞所述層中的氫和硅之間的化學鍵，在所述氫等離子體區段中，對所述基板上的所述層執行氫等離子體工藝，并且氫原子以氫氣的形式與所述層分離。

9.一種在基板上形成層的方法，所述方法包括：

在設置在轉移腔室的一側處的沉積腔室中，在所述基板上形成層；

將其上形成有所述層的所述基板經由所述轉移腔室從所述沉積腔室裝載到脫氫腔室中，所述脫氫腔室設置在所述轉移腔室的另一側處；

在所述脫氫腔室中，對所述基板上的所述層執行脫氫工藝，以減小所述層中的氫濃度；以及

將其上形成有具有低氫濃度的所述層的所述基板經由所述轉移腔室從所述脫氫腔室轉移到基板保持器。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，通過使用硅前體和活化氣體的混合物作為源氣體進行等離子體增強化學氣相沉積工藝，將所述層形成為非晶硅層，所述硅前體包括硅烷、乙硅烷和二氯硅烷中的至少一種，所述活化氣體包括氦氣、氖氣、氬氣和氪氣中的至少一種。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，通過紫外線工藝和氫等離子體工藝中的至少一種來執行所述脫氫工藝，在所述紫外線工藝中，將紫外線照射到所述基板上的所述層上，由此破壞所述層中的氫和硅之間的化學鍵，在所述氫等離子體工藝中，對所述基板上的所述層執行所述氫等離子體工藝，并且氫原子以氫氣的形式與所述層分離。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，在10℃至30℃的溫度下執行所述紫外線工藝。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，所述紫外線工藝和所述氫等離子體工藝在單個腔室中執行。