[發明專利]NAND存儲器及其訪問方法、訪問裝置

在審

• 申請號: 201811087378.4
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN109273042A
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發明（設計）人: 井沖
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李婷婷;王寶筠

本申請公開一種NAND存儲器及其訪問方法、訪問裝置，所述NAND存儲器中的存儲塊被劃分為多個存儲空間大小相同的子存儲塊，且每個子存儲塊設置有子存儲塊地址，因此，當NAND存儲器中的幾個字線存在缺陷時，即檢測到缺陷字線時，可以將缺陷字線所對應的子存儲塊標記為壞塊，而不是將缺陷字線對應的存儲塊整塊標記為壞塊，從而擴展了NAND存儲器的可用空間，充分利用了存儲塊中未出現缺陷字線對應的子存儲塊的存儲空間，改善了存儲空間浪費的問題。NAND存儲器訪問方法和訪問裝置，應用于所述NAND存儲器，并基于所述NAND存儲器的子存儲塊壞塊表，進行數據存儲，使得數據存儲能夠充分利用存儲空間，減少存儲空間的浪費量。

技術領域

本發明涉及存儲器技術領域，尤其涉及一種NAND存儲器及其訪問方法、訪問裝置。

背景技術

由于NAND存儲器實現原理的限制，在生產過程中有可能產生壞塊(bad Block或者稱為無效塊，invalid Block)。在NAND存儲器的使用中，存儲塊地址(Block address)是標記壞塊的最小可尋址單元。廠家的NAND存儲器出廠時，需要對壞塊進行標記，任何存儲塊被標記為壞塊，則此存儲塊(Block)將不能用于存儲有效數據。

當用于訪問NAND存儲器時，對一個存儲塊進行寫操作之前，需要先判斷存儲塊是否被標記為壞塊，若不是壞塊，則對存儲塊先擦除再寫入數據，若是壞塊，則不進行寫操作。但是由于現有技術中標記壞塊的地址為存儲塊地址，隨著NAND存儲器中一個存儲塊的存儲空間越來越大，存儲空間浪費的問題將更加嚴重。

因此，如何提供一種NAND存儲器的訪問方法減弱NAND存儲器的存儲空間的浪費成為亟待解決的技術問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種NAND存儲器及其訪問方法、訪問裝置，以解決現有技術中存儲塊的存儲空間越來越大，整個存儲塊被標記為壞塊時，造成存儲空間浪費嚴重的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種NAND存儲器，所述存儲器包括至少一個存儲塊，每個所述存儲塊包括多個字線組以及至少一條虛字線；

所述存儲器還包括：多個子存儲塊；

其中，每個所述存儲塊劃分為多個存儲空間大小相同的子存儲塊，每個所述子存儲塊設置有子存儲塊地址。

優選地，每個所述存儲塊中的多個所述子存儲塊是以所述字線組的位置劃分得到的。

優選地，若所述存儲器中包括至少一個無效的子存儲塊，則所述子存儲塊中的所有字線設置為虛字線。

本發明還提供一種NAND存儲器訪問方法，所述訪問方法應用于上面任意一項所述的NAND存儲器，并基于預存在所述NAND存儲器存儲陣列中的子存儲塊壞塊地址表，在系統上電后，所述訪問方法包括：

接收啟動子存儲塊功能指令；

讀取所述子存儲塊的子存儲塊壞塊地址表；

接收對所述NAND存儲器的操作；

將所述操作所訪問的所述NAND存儲器中子存儲塊的地址與所述子存儲塊的壞塊地址表進行匹配；

若所述操作所訪問的子存儲塊的地址記錄在所述子存儲塊壞塊地址表中，則跳過所述操作所訪問的子存儲塊，更換所述操作所訪問的子存儲塊，并返回上一步驟；

若所述操作所訪問的子存儲塊的地址未記錄在所述子存儲塊壞塊地址表中，則對所述操作所訪問的子存儲塊進行所述操作。

優選地，所述操作包括讀操作或寫操作。

優選地，所述操作訪問所述NAND存儲器中子存儲塊的順序為：