[發明專利]一種陣列基板及顯示面板有效
| 申請號: | 201811086394.1 | 申請日: | 2018-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN109346498B | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發明(設計)人: | 袁廣才;郭康;谷新;李海旭 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/28 | 分類號: | H01L27/28;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,包括:襯底基板,位于所述襯底基板上呈陣列排布的有機電致發光單元;所述有機電致發光單元的發光光譜由第一波段和第二波段組成;其中第一波段由發光光譜的發射峰決定,用于確定所述有機電致發光單元所發出光線的明亮程度和色調純度;其特征在于,還包括:
至少一個與每一所述有機電致發光單元對應的光電轉換單元;
所述光電轉換單元位于對應所述有機電致發光單元所在區域的邊緣處,位于相鄰兩個所述有機電致發光單元的間隙處,或者位于所述襯底基板與所述有機電致發光單元所在層之間;
所述光電轉換單元至少用于將對應的所述有機電致發光單元發出的第二波段的光線轉換成電能。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,在所述光電轉換單元位于對應所述有機電致發光單元所在區域的邊緣處,或者位于相鄰兩個所述有機電致發光單元的間隙處時,所述陣列基板,還包括:位于所述有機電致發光單元背離所述襯底基板一側的封裝層,其特征在于,還包括:位于所述封裝層與所述光電轉換單元之間的熱電/壓電轉換單元,所述熱電/壓電轉換單元用于將所述光電轉換單元散發的熱能及其對所述熱電/壓電轉換單元的壓力轉換成電能。
3.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述熱電/壓電轉換單元包括依次位于所述封裝層面向所述光電轉換單元一側的第一透明電極、熱電/壓電材料層和第二透明電極。
4.如權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述光電轉換單元包括依次位于所述第二透明電極背離所述熱電/壓電材料層一側的聚-3-己基噻吩層、氧化鋅層和第三透明電極。
5.如權利要求1所述的陣列基板,在所述光電轉換單元位于對應所述有機電致發光單元所在區域的邊緣處,或者位于相鄰兩個所述有機電致發光單元的間隙處時,所述陣列基板,還包括:位于所述有機電致發光單元背離所述襯底基板一側的封裝層,其特征在于,所述光電轉換單元位于所述封裝層背離所述有機電致發光單元的一側,且所述光電轉換單元具體用于將所述有機電致發光單元發出且照射向顯示側的第二波段的光線轉換成電能。
6.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,在所述光電轉換單元位于所述襯底基板與所述有機電致發光單元所在層之間時,所述光電轉換單元具體用于將所述有機電致發光單元發出且照射向所述襯底基板方向第一波段和第二波段的光線轉換成電能。
7.如權利要求6所述的陣列基板,還包括:位于所述襯底基板與所述有機電致發光單元所在層之間的晶體管層,其特征在于,所述光電轉換單元位于所述襯底基板與所述晶體管層之間。
8.如權利要求6所述的陣列基板,還包括:用于限定各所述有機電致發光單元所在區域的像素界定結構,其特征在于,所述像素界定結構具有凹槽,所述凹槽的側面設置有導光層,所述凹槽用于將所述有機電致發光單元照射至所述導光層的光線,以及外界照射至所述凹槽底面的光線引導至所述光電轉換單元;所述光電轉換單元還用于將接收到的外界光線轉換成電能。
9.如權利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述凹槽在垂直于所述襯底基板方向上的剖面圖為上寬下窄的梯形結構。
10.如權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述光電轉換單元包括層疊設置的第四透明電極、P型半導體層、本征半導體層、N型半導體層、第五透明電極、第一絕緣層和走線,且所述走線通過貫穿所述第一絕緣層的過孔與所述第五透明電極連接;
所述第一絕緣層還覆蓋所述第四透明電極、所述P型半導體層、所述本征半導體層、所述N型半導體層、所述第五透明電極分別與所述襯底基板垂直的表面、以及所述封裝層背離所述有機電致發光單元一側的表面;
與所述光電轉換單元對應的有機電致發光單元為綠光發光單元或藍光發光單元時,所述本征半導體層摻雜有預設數量的碳粒子。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





