[發(fā)明專利]磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811086211.6
• 申請(qǐng)日: 2018-09-18
• 公開（公告）號(hào): CN110910924B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃鼎翔;盛義忠;薛勝元;李國(guó)興;康智凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/16
• 分類號(hào): G11C11/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MRAM，其特征在于，包含：

多個(gè)元件串，以并聯(lián)方式耦接，該多個(gè)元件串中每個(gè)元件串包含多個(gè)磁隧穿接面MTJ，以串聯(lián)方式耦接，其中該多個(gè)元件串中每個(gè)元件串的該多個(gè)MTJ的數(shù)量等于該多個(gè)元件串的數(shù)量，該多個(gè)MTJ的每個(gè)MTJ分別包括一固定層以及一自由層，且在該多個(gè)元件串中的每個(gè)元件串中：

該多個(gè)MTJ中相鄰的兩個(gè)MTJ的兩個(gè)固定層通過一下層金屬內(nèi)連線電連接或該多個(gè)MTJ中相鄰的兩個(gè)MTJ的兩個(gè)自由層通過一上層金屬內(nèi)連線電連接；以及

該多個(gè)MTJ的等效電阻等于該多個(gè)MTJ中其中一個(gè)的低電阻以及另一個(gè)的高電阻的平均值。

2.如權(quán)利要求1所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該多個(gè)元件串包含第一元件串以及第二元件串以并聯(lián)方式耦接。

3.如權(quán)利要求2所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該第一元件串的該多個(gè)MTJ包含相鄰且串聯(lián)的第一MTJ以及第二MTJ。

4.如權(quán)利要求1所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該多個(gè)元件串包含第一元件串、第二元件串、第三元件串以及第四元件串以并聯(lián)方式耦接。

5.如權(quán)利要求4所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該第一元件串包含以串聯(lián)方式耦接的第一MTJ、第二MTJ、第三MTJ以及第四MTJ。

6.如權(quán)利要求5所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該第一MTJ的該固定層通過該下層金屬內(nèi)連線耦接該第二MTJ的固定層。

7.如權(quán)利要求5所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該第二MTJ的該自由層通過該上層金屬內(nèi)連線耦接該第三MTJ的自由層。

8.如權(quán)利要求5所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該第三MTJ的該固定層通過該下層金屬內(nèi)連線耦接該第四MTJ的固定層。

9.如權(quán)利要求1所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，另包含感測(cè)放大器，其中該感測(cè)放大器包含：

第一輸入端，耦接一存儲(chǔ)單元；以及

第二輸入端，耦接一結(jié)點(diǎn)，且該結(jié)點(diǎn)又耦接該多個(gè)元件串的一者。

10.如權(quán)利要求9所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中該存儲(chǔ)單元包含：

晶體管，包含源極端耦接MTJ、柵極端耦接字符線以及漏極端耦接掃描線以及該感測(cè)放大器；以及

位線，耦接該MTJ。

11.如權(quán)利要求10所述的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，另包含反向讀取電流，由該位線流向該晶體管的漏極端。