[發明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201811085673.6
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN110600355B
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 翁志強;蔡陳德;丁嘉仁;徐瑞美;李祐升;劉志宏
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;B24B37/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種等離子體處理裝置，包括：

一上電極，其包含凸伸設置于該上電極的一面且連接等離子體源的多個柱狀電極，于該上電極的中心區域具有一個等離子體空乏區，于該等離子體空乏區內無柱狀電極，由該等離子體空乏區最外圍至該上電極周緣的范圍內設有多個該柱狀電極，由該多個柱狀電極產生一環形等離子體分布區，該等離子體空乏區最外圍至該上電極周緣的范圍內形成一等離子體處理區；以及

一下電極，具有包覆有介電材質的內藏式電極，該下電極接地且被驅動旋轉，

其中，該內藏式電極為一環形件，其所形成的圓環形軌跡的中心圓形區域相對應于該等離子體空乏區，其所形成的圓環形軌跡的外緣直徑等于或大于位于最外圍的該柱狀電極所形成的圓環形軌跡的外緣直徑，其所形成的圓環形軌跡的內緣直徑等于或小于位于最內圍的該柱狀電極所形成的圓環形軌跡的內緣直徑。

2.一種等離子體處理裝置，包括：

一上電極，其包含凸伸設置于該上電極的一面且連接等離子體源的多個柱狀電極，于該上電極的中心區域具有一個等離子體空乏區，于該等離子體空乏區內無柱狀電極，由該等離子體空乏區最外圍至該上電極周緣的范圍內設有多個該柱狀電極，由該多個柱狀電極產生一環形等離子體分布區，該等離子體空乏區最外圍至該上電極周緣的范圍內形成一等離子體處理區；以及

一下電極，具有包覆有介電材質的內藏式電極，該下電極接地且被驅動旋轉，

其中，該內藏式電極為至少一圓形件，其所形成的圓環形軌跡的中心圓形區域相對應于該等離子體空乏區，其所形成的圓環形軌跡的外緣直徑等于或大于位于最外圍的該柱狀電極所形成的圓環形軌跡的外緣直徑，其所形成的圓環形軌跡的內緣直徑等于或小于位于最內圍的該柱狀電極所形成的圓環形軌跡的內緣直徑。

3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其中該內藏式電極由布置成環形的多個圓形件組成。

4.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其中該內藏式電極的直徑等于或大于預處理的工件的直徑。

5.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其中該上電極包括一座體，為導電材質，該多個柱狀電極設置于該座體的一面，該座體設有第一冷卻流道；每一該柱狀電極的軸向中心設有一第二冷卻流道與該第一冷卻流道相通形成一冷卻路徑。

6.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其中該等離子體空乏區的范圍內分布有多個氣孔。

7.如權利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其中該上電極與該下電極之間設有一屏蔽，該屏蔽包括：

一腔體，呈環狀，其內徑大于該上電極與該下電極的外徑，該腔體設有至少一氣孔；

一支撐架，呈中空環形，連結于該腔體；以及

一連動裝置，驅動該腔體與該支撐架同步移動。

8.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其中該上電極的氣孔、該上電極與該下電極間的等離子體產生區、該腔體的氣孔和該腔體的內部形成一相連通的工藝氣體通路。

9.如權利要求8所述的等離子體處理裝置，其中該上電極的氣孔與該腔體的內部其中之一連接于一工藝氣體的氣體混合槽，另一則連接于一尾氣處理系統。

10.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其中該腔體設有閥門控制工藝氣體進出該腔體的方向。

11.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其中該連動裝置控制該腔體平行一第一方向于一工藝位置與一進出料位置間往復移動，該第一方向平行于該柱狀電極的軸向且垂直于水平面，當該腔體位于該工藝位置時，該腔體的下緣與該下電極的頂面切齊或高于該下電極的頂面，當該腔體位于該進出料位置時，該腔體的下緣高于下電極的頂面。

12.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其中該腔體與該支撐架的材質為金屬或介電材質。