[發(fā)明專利]熒光材料及其制備方法、光電子器件以及制造光電子器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811083223.3
• 申請日: 2018-09-17
• 公開（公告）號: CN109943332B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韋拉馬尼·拉金德倫;方牧懷;劉如熹;張合;呂侊懋;林晏申;康桀侑;蓋伯瑞爾尼科洛·德·古斯曼;胡淑芬
• 申請（專利權(quán)）人: 億光電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80;H01L33/50
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉會景;臧建明

1.一種熒光材料，其特征在于，其具有如下的通式：

La_3(1-x)Ga_1-yGe_5(1-z)O₁₆: 3xA³⁺, yCr³⁺, 5zB⁴⁺，其中：0＜3x≤0.3，0＜y≤0.2，0≤5z≤0.2；A代表Gd；B代表Sn。

2.根據(jù) 權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，基于La₃GaGe₅O₁₆組成，所述熒光材料至少滿足以下情況之一：

Cr³⁺取代部分的Ga³⁺；

A³⁺取代部分的La³⁺；

B⁴⁺取代部分的Ge⁴⁺。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，該熒光材料在波長為400～500nm的激發(fā)光的激發(fā)下，發(fā)射出波長范圍為600～1500nm的光。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熒光材料，其特征在于，該熒光材料發(fā)射的所述光的輻射通量為4～70mW。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光材料，其特征在于，該熒光材料是通過包括有如下步驟的方法制備得到：

根據(jù)所述熒光材料的通式，將用于提供通式中各元素的原料物配置并混合后，在1200～1500℃下燒結(jié)，得到所述熒光材料。

6.一種權(quán)利要求1所述的熒光材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

根據(jù)所述熒光材料的通式，將用于提供通式中各元素的原料物配置并混合后，在1200～1500℃下燒結(jié)，得到所述熒光材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述原料物選自含有通式中元素的氧化物或碳酸鹽。

8.一種光電子器件，其特征在于，包括：

半導體芯片，其用于在該光電子器件工作期間發(fā)出激發(fā)光；

轉(zhuǎn)換元件，其設(shè)置有權(quán)利要求1所述的熒光材料，用于將所述激發(fā)光轉(zhuǎn)換成發(fā)射光。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光電子器件，其特征在于，所述激發(fā)光的波長為 450nm或460nm；所述發(fā)射光的波長范圍為650～1050nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光電子器件，其特征在于，所述半導體芯片為藍光LED芯片。

11.一種制造光電子器件的方法，其特征在于，包括如下步驟：

制備轉(zhuǎn)換元件，該轉(zhuǎn)換元件上設(shè)置有權(quán)利要求1所述的熒光材料；

將所述轉(zhuǎn)換元件安裝到半導體芯片上，其中，所述半導體芯片用于在該光電子器件工作期間產(chǎn)生激發(fā)光。