[發明專利]半導體元件的制造方法在審
| 申請號： | 201811083074.0 | 申請日： | 2018-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN109860280A | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發明（設計）人： | 林政明;林秉順;方子韋 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬元素 半導體元件 柵極介電層 半導體基材 浸潤 制造 擴散 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造半導體元件的方法，其特征在于，包含：
形成一柵極介電層于一半導體基材上；
形成一含第一金屬元素層于該柵極介電層上；以及
熱浸潤該含第一金屬元素層于一第一氣體中，使得該第一氣體的一成份擴散入該含第一金屬元素層。
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