[發明專利]InP量子點及其制備方法

在審

• 申請號: 201811082764.4
• 申請日: 2016-09-07
• 公開（公告）號: CN109111921A
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 王允軍;張衛
• 申請（專利權）人: 蘇州星爍納米科技有限公司
• 主分類號: C09K11/70
• 分類號: C09K11/70;C09K11/88;C09K11/02;B82Y40/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請提供一種InP量子點及其制備方法。InP量子點的制備方法包括：步驟S1：在100～150℃下，向含有銦前驅體、第一配體和第一有機溶劑的混合體系中加入PH₃，得到納米晶核溶液；步驟S2：將步驟S1中所述納米晶核溶液降溫至0～60℃，加入第二配體，得到具有第二配體修飾的納米晶核溶液；步驟S3：將步驟S2中所述第二配體修飾的納米晶核溶液升溫至200～300℃，加入合成殼層所需前驅體，得到具有殼層的InP量子點。通過控制前驅體、溫度、第一配體、第二配體等，易于控制所得到的InP量子點的發射波長，且InP量子點的半峰寬較小。

分案申請

本申請為2016年09月07日提交的題為“一種InP量子點及其制備方法”的中國專利申請“201610807861.X”的分案申請。

技術領域

本申請涉及量子點制備技術領域，尤其涉及一種InP量子點及其制備方法。

背景技術

量子點具有激發波長范圍寬、半峰寬窄、斯托克斯位移大，光穩定性強等優點，因而被廣泛的應用于顯示、生物標記、太陽能電池等領域。與II-VI族元素量子點相比，由于不具有內在的毒性，以InP量子點為代表的III-V族元素量子點成為研究的熱點和趨勢。

由于InP量子點的成核與生長過程較難控制，使得現有以PH₃為磷源制備InP量子點的過程中不易控制InP量子點的發射波長，且半峰寬較大。

發明內容

針對上述問題，本申請的目的在于提供一種以PH₃為磷源、易于控制合成InP量子點的方法。

根據本申請的一個方面，提供一種InP量子點的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：步驟S1：在100～150℃下，向含有銦前驅體、第一配體和第一有機溶劑的混合體系中加入PH₃，得到納米晶核溶液；步驟S2：將步驟S1中所述納米晶核溶液降溫至0～60℃，加入第二配體，得到具有第二配體修飾的納米晶核溶液；步驟S3：將步驟S2中所述第二配體修飾的納米晶核溶液升溫至200～300℃，加入合成殼層所需前驅體，得到具有殼層的InP量子點。

優選地，所述銦前驅體包括醋酸銦、硬脂酸銦、十四酸銦、氯化銦、碘化銦和溴化銦中的至少一種。

優選地，所述第一配體為羧酸。

優選地，所述第一配體包括十酸、十一烯酸、十二酸、十三酸、十四酸、十六酸、油酸和硬脂酸中的至少一種。

優選地，所述第一有機溶劑包括烯烴類、烷烴類、醚類和芳香族化合物類中的至少一種。

優選地，所述第二配體包括長鏈脂肪族胺類、芳胺類、硫醇類中的至少一種。

優選地，所述第二配體為正十二硫醇、正辛硫醇或者油胺。

優選地，所述第一配體與所述第二配體的摩爾比為(1～2):1。

優選地，所述殼層具有比納米晶核大的能帶隙。

根據本申請的另一個方面，提供一種InP量子點，所述InP量子點由如上任一所述的制備方法制得。

本申請具有以下有益效果：通過控制前驅體、溫度、第一配體、第二配體等，易于控制所得到的InP量子點的發射波長，且InP量子點的半峰寬較小。

附圖說明

圖1是實施例1中制備的InP量子點的紫外-可見吸收和熒光發射光譜圖；

圖2是實施例2中制備的InP量子點的紫外-可見吸收和熒光發射光譜圖；

圖3是實施例3中制備的InP量子點的紫外-可見吸收和熒光發射光譜圖；