[發明專利]一種改善關鍵尺寸均勻性的方法

有效

• 申請號: 201811082512.1
• 申請日: 2018-09-17
• 公開（公告）號: CN109300785B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 何發梅
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/311;H01L21/768
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種改善關鍵尺寸均勻性的方法，適用于晶粒生成步驟的金屬格生成工序，通過金屬格生成工序對預處理晶圓進行處理以得到目標晶圓，所述預處理晶圓包括晶圓、形成于所述晶圓上的金屬布線層以及覆蓋所述金屬布線層的隔離層，所述預處理晶圓由多個晶粒區域構成，所述晶粒區域由金屬格區域和環繞所述金屬格區域的非金屬格區域構成，所述非金屬格區域由至少一個分立區域和一連續區域構成，所述金屬格區域和所述分立區域之間由連續區域隔開，位于所述分立區域的所述金屬布線層構成外圍金屬結構；其特征在于，所述方法包括：

步驟S1、采用一第一光罩刻蝕所述隔離層，以去除位于所述金屬格區域和連續區域的所述隔離層，并保留位于所述分立區域的所述隔離層，位于金屬格區域的所述金屬布線層構成金屬格，位于所述分立區域的所述外圍金屬結構和所述隔離層構成臺階，所述第一光罩具有對應所述金屬格區域和所述連續區域的第一刻蝕窗口；

步驟S2、依次進行光刻處理和后續處理得到具有預設的關鍵尺寸的目標晶圓。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬布線層采用金屬材質，所述金屬材質包括銅。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔離層采用絕緣材質，所述絕緣材質包括氮化硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬格區域為矩形。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述分立區域為矩形且數量不超過三個，所述金屬格區域的每一側至多分布一個所述分立區域。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述分立區域的數量為兩個且位于所述金屬格區域的相鄰的兩側。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2中的所述后續處理包括：

步驟b1、沉積金屬鋁層，以覆蓋所述晶粒區域；

步驟b2、采用一第二光罩刻蝕所述金屬鋁層，以去除位于所述金屬格區域和所述分立區域的所述臺階上的所述金屬鋁層，并保留包裹所述臺階四周的所述金屬鋁層，所述第二光罩具有對應所述金屬格區域和所述所述分立區域的所述臺階的第二刻蝕窗口。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法適用于背照式影像傳感器生產工藝的所述晶粒生成步驟。