[發明專利]一種Cr-Si-N-O太陽能選擇性吸收涂層及其制備方法在審
| 申請號: | 201811081750.0 | 申請日: | 2018-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN109341116A | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發明(設計)人: | 楊中周;劉靜;孫志強;余剛;汪洪 | 申請(專利權)人: | 中國建筑材料科學研究總院有限公司 |
| 主分類號: | F24S70/225 | 分類號: | F24S70/225;C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王偉鋒;劉鐵生 |
| 地址: | 100024*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 亞層 太陽能選擇性吸收涂層 紅外反射層 減反層 吸收層 制備 吸收率 退火 大氣環境 熱穩定性 真空環境 發射率 | ||
本發明提供一種Cr?Si?N?O太陽能選擇性吸收涂層及其制備方法。所述涂層從底層到表面依次包括基片、紅外反射層、吸收層和減反層,所述吸收層包括第一亞層、第二亞層和第三亞層,所述第一亞層與紅外反射層接觸,所述第三亞層與減反層接觸;所述第一亞層、第二亞層的材料為CrSiN;所述第三亞層的材料為CrSiNO;所述第一亞層中,其CrSi的含量大于N的含量;所述的第二亞層中,其CrSi的含量小于等于N的含量。所述涂層能夠提高太陽能選擇性吸收涂層的熱穩定性;所述的涂層經400℃大氣環境或者500℃真空環境(3.0x10?3pa)退火2h處理之后,其吸收率均大于0.95,發射率均小于等于0.08(80℃)。
技術領域
本發明屬于太陽能利用技術領域,尤其涉及一種Cr-Si-N-O太陽能選擇性吸收涂層及其制備方法。
背景技術
太陽能光譜選擇性吸收涂層是太陽能集熱器光熱轉換核心材料,在0.3μm-2.5μm的太陽光波段具有高吸收率,在2.5μm-50μm的紅外熱輻射波段具有低輻射率,可以實現對太陽能的高吸收低輻射散熱,最大限度將太陽能轉化為熱能。選擇性吸收涂層根據工作溫度的不同,可分為:低溫涂層(低于100℃)、中溫涂層(100-400℃)與高溫涂層(高于400℃)。低溫涂層主要用于太陽能熱水器,中溫涂層主要應用于工業過程產熱、海水淡化和太陽能熱水器,高溫涂層主要用于集中式太陽能熱發電。涂層的熱輻射損失與T4成正比例關系,因此涂層的熱穩定性也是集熱器至關重要的性能參數。
金屬氮化物或金屬氮氧化物因其優異的抗氧化性、熱穩定性和可調控光學性能,受到了廣泛的關注和研究。中國發明專利CN8510042提出一種Al-N/Al選擇性吸收涂層,吸收率可達0.93,發射率為0.06(100℃),且用單個金屬Al靶制備,工藝簡單,成本低,在中低溫太陽能集熱管上得到了廣泛應用。但涂層熱穩定性差,在較高溫度下吸收層易氧化和相互擴散,影響涂層使用壽命。中國發明專利CN105222381.A提出一種Cr-N-O體系選擇性吸收涂層,吸收率達到0.90,發射率僅為0.025,但是涂層只能用于中低溫。
發明內容
本發明的主要目的在于,提供一種Cr-Si-N-O太陽能選擇性吸收涂層及其制備方法,所要解決的技術問題是提高金屬氮(氧)化物吸收的光譜選擇性吸收涂層的熱穩定性,從而更加適于中高溫領域。
本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。
依據本發明提出的一種Cr-Si-N-O太陽能選擇性吸收涂層,所述的涂層從底層到表面依次包括基片、紅外反射層、吸收層和減反層,所述的吸收層包括第一亞層、第二亞層和第三亞層,所述的第一亞層與紅外反射層接觸,所述的第三亞層與減反層接觸;所述的第一亞層、第二亞層的材料為CrSiN;所述的第三亞層的材料為CrSiNO。
本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
優選的,前述的Cr-Si-N-O太陽能選擇性吸收涂層,其中所述的第一亞層中,以原子個數計,其CrSi的含量大于N的含量;所述的第二亞層中,以原子個數計,其CrSi的含量小于等于N的含量;所述的第三亞層中,以原子個數計,其CrSi的含量小于等于N和O含量之和。
優選的,前述的Cr-Si-N-O太陽能選擇性吸收涂層,其中所述的基片為Cu、Al、不銹鋼或玻璃的一種或兩種以上的組合;所述的紅外反射層為Cu、W或Mo中的一種或兩種以上的組合;所述的減反層為SiO2。
優選的,前述的Cr-Si-N-O太陽能選擇性吸收涂層,其中所述的基片的厚度為0.3-10mm;所述的紅外反射層、吸收層和減反層的總厚度為245-545nm。
優選的,前述的Cr-Si-N-O太陽能選擇性吸收涂層,其中所述的紅外反射層的厚度為120-300nm;所述的吸收層的厚度為75-155nm;所述的減反層的厚度為50-90nm。
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