[發明專利]離子遷移光譜儀和離子遷移光譜測定方法

在審

• 申請號: 201811081443.2
• 申請日: 2014-03-12
• 公開（公告）號: CN109342544A
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: D·夏普;J·阿特金森
• 申請（專利權）人: 史密斯探測－沃特福特有限公司
• 主分類號: G01N27/62
• 分類號: G01N27/62
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 肖冰濱;王曉曉

1.一種離子遷移光譜測定方法，包括：

確定樣本是否包含具有第一特性的離子；

在確定所述樣本包含具有所述第一特性的離子的情況下，則對母離子施加熱能以及射頻RF電場，以便獲取具有第二特性的子離子，以基于所述第一特性和所述第二特性來推斷出所述母離子的至少一個標識。

2.如權利要求1所述的方法，其中確定樣本是否包含具有第一特性的離子包括：通過施加RF電場和熱能中的一者來修飾從所述樣本中得到的第一多個離子。

3.如權利要求1所述的方法，其中施加熱能包括在選定時段中將熱能施加于光譜儀漂移室的區域。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述光譜儀漂移室包括用于施加所述RF電場的電極，并且所述熱能被局限在所述電極的選定距離以內。

5.如權利要求1所述的方法，其中施加熱能以及RF電場包括：在施加所述RF電場之前施加所述熱能。

6.如權利要求1所述的方法，還包括：確定光譜儀漂移室的區域的溫度，以及僅在該溫度低于選定的閾值溫度的情況下才施加所述熱能。

7.如權利要求1所述的方法，其中施加熱能包括將光譜儀漂移室的區域加熱至在沒有施加RF電場的情況下不足以修飾離子的溫度。

8.如權利要求1所述的方法，其中施加熱能包括將光譜儀漂移室的區域加熱至為促進所述RF電場的離子修飾處理而選擇的溫度。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述光譜儀的漂移室包括被布置成橫跨所述漂移室以用于施加所述RF電場的兩個電極。

10.一種離子遷移光譜儀，包括：

特性確定器，用于確定樣本的離子的特性；

電極，被適配成使所述離子在所述光譜儀中的區域遭遇到RF電場；

加熱器，被適配成加熱所述區域；

控制器，被配置成有選擇地控制以下的至少一者：

將RF電壓施加于所述電極；以及

所述加熱器；

基于所確定的特性來施加熱能和RF電場中的至少一者；

其中所述控制器配置成在所述特性確定器確定所述樣本的離子具有第一特性的情況下，操作所述電極或所述加熱器以對所述樣本的第一多個離子施加以下一者：

(i)RF電場，以及

(ii)熱能；

以及，然后在所述特性確定器確定所述樣本的離子具有第二特性的情況下，對所述樣本的第二多個離子施加所述RF電場和所述熱能。

11.如權利要求10所述的離子遷移光譜儀，其中所述特性確定器包括光譜儀漂移室，以及用于控制離子進入所述漂移室的通道的閘門，其中所述控制器被配置成在選定時段中通過操作所述加熱器來施加熱能。

12.如權利要求10所述的離子遷移光譜儀，其中所述控制器被配置成在溫度低于選定的閾值溫度的情況下，通過操作所述加熱器來施加熱能。

13.一種離子遷移光譜儀，包括：

離子修飾器，被配置成在所述光譜儀的區域中對離子施加RF電場；

加熱器，被配置成加熱所述區域；以及

控制器，被配置成在操作所述離子修飾器施加所述RF電場之前，操作所述加熱器來加熱所述區域。

14.如權利要求13所述的離子遷移光譜儀，包括漂移室，其中被適配成使所述離子遭遇到RF電場的所述電極包括被布置成橫跨所述漂移室的兩個電極。