[發明專利]一種提高基于拉曼光譜法的芯片結溫測試精度的分析方法在審
| 申請號： | 201811079334.7 | 申請日： | 2018-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN109405995A | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發明（設計）人： | 郭懷新;黃語恒;陳堂勝 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號： | G01K11/00 | 分類號： | G01K11/00 |
| 代理公司： | 南京理工大學專利中心 32203 | 代理人： | 陳鵬 |
| 地址： | 210016 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 拉曼光譜法 結溫 芯片 分辨率 測試 波數 材料特征 測試芯片 峰值波數 功率芯片 關系變化 技術開發 精度需求 拉曼光譜 壽命評估 溫度標定 溫度測試 拉曼譜 熱管理 熱源區 特征譜 光譜 擬合 分析 研究 | ||
1.一種提高基于拉曼光譜法的芯片結溫測試精度的分析方法，其特征在于，
包括以下步驟：
1)針對測試芯片，利用拉曼光譜法開展熱源區材料的溫度對應的材料特征譜峰測試；
2)將特征譜峰進行洛倫茲函數擬合處理，擬合其譜峰值位置處的波數，并進行其拉曼特征譜峰值波數隨溫度變化量的標定；
3)利用拉曼光譜法，對芯片工作狀態下熱源區材料的特征譜峰進行測試；
4)將該特征譜峰進行洛倫茲函數擬合處理，擬合其譜峰值位置處的波數，結合其譜峰值波數隨溫度的變化量進行結溫計算。
2.根據權利要求1所述的提高基于拉曼光譜法的芯片結溫測試精度的分析方法，其特征在于，洛倫茲函數對特征譜峰值的擬合處理應覆蓋譜峰波數。
3.根據權利要求2所述的提高基于拉曼光譜法的芯片結溫測試精度的分析方法，其特征在于，波數的分辨率小于等于0.01cm-1。
4.根據權利要求3所述的提高基于拉曼光譜法的芯片結溫測試精度的分析方法，其特征在于，待測芯片材料的特征譜峰值波數隨溫度變化量的標定，并擬合公式：
K＝Δω/ΔT
其中，K為特征譜峰波數-溫度偏移系數，Δω為芯片熱源區材料特征譜峰值偏移量，ΔT為溫度偏移差量。
5.根據權利要求1所述的提高基于拉曼光譜法的芯片結溫測試精度的分析方法，其特征在于，所述測試芯片為GaN功率芯片或GaAs功率芯片。
6.根據權利要求5所述的提高基于拉曼光譜法的芯片結溫測試精度的分析方法，其特征在于，測試溫度覆蓋范圍為25～220℃。
7.根據權利要求1或6所述的提高基于拉曼光譜法的芯片結溫測試精度的分析方法，其特征在于，測試溫度點不少于5個。
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