[發(fā)明專利]電子裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811078301.0 | 申請日: | 2018-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN110061010B | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 樂瑞仁;李冠鋒;劉敏鉆;吳湲琳 | 申請(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G09F9/33 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 喻穎 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學(xué)工*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 裝置 | ||
1.一種電子裝置,其特征在于,包括:
一基板,具有一第一表面和與所述第一表面相對的一第二表面,其中,所述基板具有一由t表示的厚度及一由WS表示的寬度;
一顯示層,設(shè)置于該第一表面上且定義出一顯示區(qū)域;
一第一穿孔穿透所述基板,其中,所述第一穿孔于所述第一表面上具有一由A1’表示的第一面積,且所述第一穿孔于所述第二表面上具有一由A1表示的第二面積;以及
一第二穿孔穿透所述基板,其中,所述第二穿孔于所述第一表面上具有一由A2’表示的第三面積,且所述第二穿孔于所述第二表面上具有一由A2表示的第四面積,且所述第一穿孔與所述第二穿孔之間的距離以d表示;
其中,所述厚度t、所述寬度WS、所述第一面積A1’、所述第二面積A1、所述第三面積A2’、所述第四面積A2,以及所述距離d的數(shù)值符合下式(I):
其中,A1’、A1、A2’和A2以μm2作為單位,t和WS以μm作為單位,且N大于0且小于1E6;
其中至少一部分的該第一穿孔及至少一部分的該第二穿孔位于該顯示區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一面積A1’與所述第二面積A1的平均值定義為一第一平均值,所述第三面積A2’與所述第四面積A2的平均值定義為一第二平均值,且當(dāng)所述第一平均值和所述第二平均值的至少一者大于3μm2且小于1E4μm2時,N等于9E2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一面積A1’與所述第二面積A1的平均值定義為一第一平均值,所述第三面積A2’與所述第四面積A2的平均值定義為一第二平均值,且當(dāng)所述第一平均值和所述第二平均值的至少一者大于或等于1E4μm2且小于1E6μm2時,N等于9E3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一面積A1’與所述第二面積A1的平均值定義為一第一平均值,所述第三面積A2’與所述第四面積A2的平均值定義為一第二平均值,且當(dāng)所述第一平均值和所述第二平均值的至少一者大于或等于1E6μm2且小于1E7μm2時,N等于9E4。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一面積A1’與所述第二面積A1的平均值定義為一第一平均值,所述第三面積A2’與所述第四面積A2的平均值定義為一第二平均值,且當(dāng)所述第一平均值和所述第二平均值的至少一者大于或等于1E7μm2且小于6.4E7μm2時,N等于9E5。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述基板更具有相對的一第一邊緣及一第二邊緣,所述第一穿孔鄰近所述第一邊緣,所述第一邊緣與所述第一穿孔的一第一側(cè)壁之間的一第一最小距離由d’所表示,所述第二穿孔鄰近于所述第二邊緣,且所述第二邊緣與所述第二穿孔的一第二側(cè)壁之間的一第二最小距離由d”所表示,
其中,所述第一最小距離d’、所述第二最小距離d”、所述厚度t、所述第一面積A1’、所述第二面積A1、所述第三面積A2’以及所述第四面積A2的數(shù)值符合下式(II)和(III):
其中,d’和d”以μm作為單位。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子裝置,其特征在于,所述寬度WS、所述第一最小距離d’、所述第二最小距離d”以及所述距離d的數(shù)值符合下式(IV):
8.如權(quán)利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述電子裝置還包括一第一電子單元,且所述顯示層和所述第一電子單元設(shè)置于所述基板的相對兩側(cè),其中,所述顯示層具有一第二信號傳遞信道,且所述第一穿孔設(shè)置于所述第一電子單元與所述第二信號傳遞信道之間。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于群創(chuàng)光電股份有限公司,未經(jīng)群創(chuàng)光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811078301.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





