[發(fā)明專利]一種多孔熒光陶瓷及其制備方法、發(fā)光裝置和投影裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811076989.9 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110903088B | 公開(公告)日: | 2022-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周萌;段銀祥;張世忠;許顏正 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳光峰科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C04B35/50 | 分類號(hào): | C04B35/50;C04B35/117;C04B35/622;C04B38/00;H01L33/50;G03B21/20 |
| 代理公司: | 深圳市智圈知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44351 | 代理人: | 周獻(xiàn) |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多孔 熒光 陶瓷 及其 制備 方法 發(fā)光 裝置 投影 | ||
1.一種多孔熒光陶瓷,包括熒光陶瓷相以及分散在所述熒光陶瓷相中的孔相,其特征在于,所述熒光陶瓷相為Y3Al5O12:Ce或Lu3Al5O12:Ce,至少部分所述孔相位于所述熒光陶瓷相的晶粒內(nèi),所述多孔熒光陶瓷的氣孔率為1%~10%,所述孔相的尺寸為0.5~1.5μ m 。
2.如權(quán)利要求1所述的多孔熒光陶瓷,其特征在于,所述熒光陶瓷相的晶粒大小為10~20μ m 。
3.如權(quán)利要求1所述的多孔熒光陶瓷,其特征在于,所述孔相為球形孔、卵圓形孔或長(zhǎng)形孔中的至少一種。
4.一種光源裝置,其特征在于,包括激發(fā)光源和權(quán)利要求1~3任一所述的多孔熒光陶瓷,所述激發(fā)光源能夠發(fā)出激發(fā)光用于激發(fā)所述多孔熒光陶瓷發(fā)出受激發(fā)光。
5.一種投影裝置,其特征在于,包括:
權(quán)利要求4所述的光源裝置;
光調(diào)制裝置,該光調(diào)制裝置根據(jù)圖像信息對(duì)來自所述光源裝置的光進(jìn)行調(diào)制,從而形成圖像光;以及
投影光學(xué)系統(tǒng),該投影光學(xué)系統(tǒng)對(duì)所述圖像光進(jìn)行投影。
6.一種如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的多孔熒光陶瓷的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1:原料混合,
根據(jù)熒光陶瓷的化學(xué)計(jì)量比稱取氧化物原料,所述氧化物原料的粒徑為1~1000nm,再加入粘接劑、燒結(jié)助劑以及溶劑,球磨8~24h,干燥獲得原料粉體;
S2:壓片成型,
將S1得到的原料粉體過篩,預(yù)壓成型,然后100~300Mpa冷等靜壓壓實(shí)得到陶瓷生坯;
S3:預(yù)燒結(jié)排除有機(jī)物,
將S3得到的陶瓷生坯在600~1000℃的溫度范圍內(nèi)預(yù)燒結(jié)4~10h排除有機(jī)物;
S4:陶瓷燒結(jié),
將S3得到的陶瓷坯體置于惰性氣氛中進(jìn)行燒結(jié)得到熒光陶瓷,燒結(jié)時(shí)間為6~10h,燒結(jié)溫度為1550~1800℃,升溫速率為10~20℃/min。
7.如權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述熒光陶瓷相為Y3Al5O12:Ce,所述氧化物原料包括氧化釔、氧化鈰和氧化鋁;
所述氧化釔、氧化鈰的粒徑為20~50nm;
所述氧化鋁的粒徑為100~300nm。
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