[發(fā)明專利]薄膜制備設(shè)備及其反應(yīng)腔室在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811076455.6 | 申請日: | 2018-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN110904437A | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊康 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/26 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜 制備 設(shè)備 及其 反應(yīng) | ||
1.一種薄膜制備設(shè)備的反應(yīng)腔室,其特征在于,包括腔體以及設(shè)置在所述腔體內(nèi)的載物平臺;
所述腔體包括:
進(jìn)氣口,設(shè)置在所述載物平臺的上方,用于輸入反應(yīng)氣體;
筒形的側(cè)壁,設(shè)置有位于同一水平高度、由側(cè)壁的內(nèi)周壁凹陷形成且環(huán)繞所述載物平臺分布的多個排氣孔;以及
排氣流道,連通于每個所述排氣孔;
其中,所述排氣流道抽氣時,載物平臺上方的氣體從中間均勻地向四周流動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述排氣流道包括設(shè)置在所述側(cè)壁內(nèi)的環(huán)空流道以及分別連通所述環(huán)空流道對稱兩側(cè)的兩個第一通道;
多個所述排氣孔均從所述內(nèi)周壁延伸到所述環(huán)空流道。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述腔體還包括覆蓋在所述側(cè)壁的底部的底壁,兩個所述第一通道從所述環(huán)空流道向下延伸到所述底壁;
所述排氣流道還包括設(shè)置在所述底壁的中部的出氣口,以及設(shè)置在所述側(cè)壁內(nèi)且分別從兩個所述第一通道延伸到所述出氣口的兩個第二通道。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,多個所述排氣孔均分為分別靠近兩個所述第二通道的兩組排氣孔,每組排氣孔與其最接近的第二通道相對應(yīng);
在每組排氣孔中,越接近其所對應(yīng)的第二通道則相鄰兩個所述排氣孔之間的間距越大。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,在每組排氣孔中,越接近其所對應(yīng)的第二通道則排氣孔的孔徑越小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述腔體還包括覆蓋在所述側(cè)壁的頂端的頂壁,所述進(jìn)氣口設(shè)置在所述頂壁的中部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述多個排氣孔均勻環(huán)繞所述載物平臺;
所述腔體還包括:
覆蓋所述側(cè)壁的頂端的頂壁,所述進(jìn)氣口設(shè)置在所述頂壁的中部且朝向所述載物平臺;
覆蓋所述側(cè)壁的底端的底壁,所述底壁的中部下方設(shè)置有用于排出所述腔體內(nèi)的氣體的出氣口;
其中,所述腔體的壁面內(nèi)還設(shè)置有連通排氣孔和出氣口的排氣流道,腔體內(nèi)的氣體從每個排氣孔經(jīng)排氣流道到達(dá)出氣口的路徑相等。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述排氣流道包括設(shè)置在側(cè)壁內(nèi)的第一流道和設(shè)置在底壁內(nèi)的第二流道;
所述第一流道從每個排氣孔延伸到所述第二流道,所述第二流道從所述第一流道延伸到所述出氣口。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述第一流道為沿著所述側(cè)壁的軸向延伸的直流道,所述第二流道為從每個第一流道從徑向延伸到所述出氣口的直流道。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述第一流道為一端連通每個排氣孔、另一端連通所述第二流道的環(huán)空腔室。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述第二流道為圓盤形的腔室,所述第一流道的端部連接所述第二流道的邊緣,所述出氣口連通于所述第二流道的中部。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至11中任一項所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述排氣孔的橫截面為長軸水平設(shè)置的橢圓形。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述橫截面的面積為0.5π~2πcm2。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述側(cè)壁為圓筒形,所述載物平臺為圓形板,所述側(cè)壁與所述載物平臺同軸設(shè)置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,所述排氣孔平齊于所述載物平臺的承載面。
16.一種薄膜制備設(shè)備,其特征在于,包括根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項所述的反應(yīng)腔室。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
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