[發明專利]一種多晶硅的制備方法在審
| 申請號： | 201811075034.1 | 申請日： | 2018-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN108840340A | 公開（公告）日： | 2018-11-20 |
| 發明（設計）人： | 冉祎;余濤;王琴;何鵬;李壽琴 | 申請（專利權）人： | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/035 | 分類號： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王學強;羅滿 |
| 地址： | 614800 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶硅 混合料 硅棒 制備 化學沉淀反應 三氯氫硅氣體 多晶硅生長 二氯二氫硅 電耗 硅芯表面 生長周期 氫氣 還原爐 硅芯 收率 送入 節約 | ||
1.一種多晶硅的制備方法，其特征在于，包括：
將二氯二氫硅氣體、三氯氫硅氣體和氫氣混合，得到混合料；
將混合料送入還原爐，第三混合料進行氣相化學沉淀反應，在硅芯表面生成多晶硅，得到硅棒。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：加熱汽化二氯二氫硅，得到所述二氯二氫硅氣體。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：加熱汽化三氯氫硅，得到所述三氯氫硅氣體。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：所述氫氣為經過預熱處理的氫氣。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法具體包括：
將二氯二氫硅氣體、三氯氫硅氣體和氫氣在混合內混合，得到混合料；
將混合料送入還原爐，第三混合料在還原爐內進行氣相化學沉淀反應，在還原爐內的硅芯表面生成多晶硅，得到硅棒。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氣相化學沉淀反應溫度條件為1020℃～1120℃，壓力條件為0.45MPa～0.5MPa。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：硅棒生長過程中逐步降低所述混合料中所述二氯二氫硅氣體含量。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：以體積百分比計，硅棒生長初期所述混合料中所述二氯二氫硅氣體含量為10％～15％，完成硅棒生長時所述混合料中所述二氯二氫硅氣體含量為2％。
9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述硅棒的整個生長周期在100小時以內。
10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述混合氣中所述二氯二氫硅氣體和所述三氯氫硅氣體總含量與所述氫氣含量的摩爾比為1：2～1：10。
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