[發明專利]一種激光驅動飛片靶結構及其制備方法有效
| 申請號： | 201811073558.7 | 申請日： | 2018-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN108994448B | 公開（公告）日： | 2020-10-16 |
| 發明（設計）人： | 高原;王亮;覃文志;李勇;吉祥波;唐舵 | 申請（專利權）人： | 中國工程物理研究院化工材料研究所 |
| 主分類號： | B23K26/00 | 分類號： | B23K26/00;C23C14/28 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商標專利事務所 51213 | 代理人： | 劉興亮 |
| 地址： | 621000*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 激光 驅動 飛片靶 結構 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種激光驅動飛片靶結構，其特征在于，所述飛片靶包括依次設置的光學窗口層、燒蝕層和飛片層，所述燒蝕層設置在所述光學窗口層和所述飛片層之間，所述燒蝕層為鋁鎂的原子比為9:1鋁鎂二元合金或鋁鈦的原子比為1:1鋁鈦二元合金。
2.根據權利要求1所述的飛片靶結構，其特征在于，所述光學窗口層的材料為藍寶石、K9玻璃中的任意一種。
3.根據權利要求1所述的飛片靶結構，其特征在于，所述燒蝕層的光吸收率大于10％。
4.根據權利要求1所述的飛片靶結構，其特征在于，所述飛片層的材料為金屬鋁，所述金屬鋁的純度大于99％。
5.一種激光驅動飛片靶結構的制備方法，其特征在于，在光學窗口層上沉積合金薄膜材料作為飛片靶的燒蝕層，然后在燒蝕層上沉積或粘接單金屬鋁作為飛片層，得到激光驅動飛片靶；
所述燒蝕層的沉積方法選自物理氣相沉積或化學氣相沉積，所述燒蝕層的厚度為10nm～4μm；所述燒蝕層為鋁鎂的原子比為9:1鋁鎂二元合金或鋁鈦的原子比為1:1鋁鈦二元合金；
所述飛片層的沉積方法為物理氣相沉積、化學氣相沉積、膠粘中的任意一種，所述飛片層的厚度為3μm～100μm。
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