[發明專利]勻流件、工藝腔室、原子層沉積設備及沉積方法在審
| 申請號： | 201811073358.1 | 申請日： | 2018-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN110904436A | 公開（公告）日： | 2020-03-24 |
| 發明（設計）人： | 秦海豐;史小平;蘭云峰;紀紅;趙雷超;張文強 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/455 | 分類號： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 勻流件 工藝 原子 沉積 設備 方法 | ||
1.一種勻流件，包括若干個間隔設置的第一勻流孔和第二勻流孔，其特征在于，所述第一勻流孔的出氣口和所述第二勻流孔的出氣口處于非同一平面。
2.根據權利要求1所述的勻流件，其特征在于，所述勻流件包括若干個與所述第一勻流孔一一對應的凸起；
各所述第一勻流孔沿所述勻流件的厚度方向貫穿對應的所述凸起；
各所述第二勻流孔位于相鄰兩個所述凸起之間的間隔處。
3.根據權利要求2所述的勻流件，其特征在于，所述凸起的縱截面呈弧形結構。
4.根據權利要求1所述的勻流件，其特征在于，所述第一勻流孔的出氣口與所述第二勻流孔的出氣口在沿所述勻流件的厚度方向上的高度差的范圍為1mm～2mm。
5.根據權利要求1所述的勻流件，其特征在于，所述第一勻流孔的出氣口的孔徑小于所述第二勻流孔的出氣口的孔徑。
6.根據權利要求5所述的勻流件，其特征在于，所述第一勻流孔的出氣口的孔徑的范圍為1.3mm～1.5mm，所述第二勻流孔的出氣口的孔徑的范圍為1.8mm～2mm。
7.根據權利要求1所述的勻流件，其特征在于，所述第一勻流孔的出氣口與所述第二勻流孔的出氣口之間的間隔范圍為13.7mm～14mm。
8.一種工藝腔室，其特征在于，包括權利要求1至7中任意一項所述的勻流件。
9.一種原子層沉積設備，其特征在于，包括權利要求8所述的工藝腔室。
10.一種原子層沉積方法，其特征在于，采用權利要求9所述的原子層沉積設備，所述原子層沉積方法包括：
步驟S110、第一前驅體經所述第一勻流孔脈沖進入所述工藝腔室；
步驟S120、干抽所述工藝腔室；
步驟S130、吹掃所述工藝腔室；
步驟S140、第二前驅體經所述第二勻流孔脈沖進入所述工藝腔室；
步驟S150、干抽所述工藝腔室；
步驟S160、吹掃所述工藝腔室；
步驟S170、判斷膜層是否達到預設厚度，若是，結束工藝，反之，重復執行步驟S110至步驟S170。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
