[發(fā)明專利]顯示面板及制作方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811072823.X | 申請日： | 2018-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN109166469B | 公開（公告）日： | 2021-03-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孫雙 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | G09F9/33 | 分類號： | G09F9/33;G06Q20/40;G06K9/00 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 趙天月 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示 面板 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板，其特征在于，包括：
基板，所述基板具有互不重疊的顯示區(qū)域以及識別區(qū)域；
顯示器件，所述顯示器件設置在所述基板的顯示區(qū)域，所述顯示器件包括第一微發(fā)光二極管；以及
傳感器件，所述傳感器件設置在所述基板的識別區(qū)域，所述傳感器件包括第二微發(fā)光二極管，所述第二微發(fā)光二極管為用于識別指靜脈信息的光源，
所述第二微發(fā)光二極管為紅外光微發(fā)光二極管。
2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一微發(fā)光二極管包括紅光微發(fā)光二極管、綠光微發(fā)光二極管以及藍光微發(fā)光二極管。
3.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一微發(fā)光二極管以及所述第二微發(fā)光二極管分別獨立地包括依次設置的第一電極、半導體結構以及第二電極，
其中，所述半導體結構包括依次設置的第一摻雜類型半導體層、發(fā)光層以及第二摻雜類型半導體層，所述第一摻雜類型半導體層是由P型半導體材料以及N型半導體材料中的一種形成的，所述第二摻雜類型半導體層是由P型半導體材料以及N型半導體材料中的另一種形成的，所述發(fā)光層包括多量子阱。
4.根據權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述第一電極由非透明導電材料構成，所述第二電極由透明導電材料構成。
5.根據權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，進一步包括：
第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第一微發(fā)光二極管的第一電極電連接；以及
第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二微發(fā)光二極管的第一電極電連接。
6.根據權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管以及所述第二薄膜晶體管分別獨立地包括底柵型薄膜晶體管以及頂柵型薄膜晶體管。
7.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-6任一項所述的顯示面板。
8.一種制作顯示面板的方法，其特征在于，包括：
提供基板，所述基板具有互不重疊的顯示區(qū)域以及識別區(qū)域；
在所述基板的顯示區(qū)域形成顯示器件，所述顯示器件包括第一微發(fā)光二極管；以及
在所述基板的識別區(qū)域形成傳感器件，所述傳感器件包括第二微發(fā)光二極管，所述第二微發(fā)光二極管為用于識別指靜脈信息的光源，所述第二微發(fā)光二極管為紅外光微發(fā)光二極管。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一微發(fā)光二極管以及所述第二微發(fā)光二極管分別獨立地包括依次設置的第一電極、半導體結構以及第二電極，所述半導體結構是通過薄膜轉印法設置在所述基板上的。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一微發(fā)光二極管包括紅光微發(fā)光二極管、綠光微發(fā)光二極管以及藍光微發(fā)光二極管，
其中，發(fā)光顏色相同的微發(fā)光二極管的半導體結構同步轉印到所述基板上。
11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述第一微發(fā)光二極管以及所述第二微發(fā)光二極管之前，進一步包括：
在所述基板的顯示區(qū)域形成第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管與所述第一微發(fā)光二極管電連接；以及
在所述基板的識別區(qū)域形成第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管與所述第二微發(fā)光二極管電連接。
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