[發(fā)明專利]陽(yáng)光熱反射膜結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811072370.0
• 申請(qǐng)日: 2018-09-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109300997A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 畢凱;陳大民
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 嘉興岱源真空科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216
• 代理公司: 北京中政聯(lián)科專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11489
• 代理人: 姚海波

1.一種陽(yáng)光熱反射膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：從內(nèi)至外包括金屬基片(10)、第一轟擊活化層(20)、粘接底層(30)、第一粘結(jié)層系(40)、介電層系(50)、透明導(dǎo)電粘結(jié)層(60)、功能反射層(70)、主反射層(80)、第二粘結(jié)層系(90)、第二轟擊活化層(110)及透明防護(hù)層(120)。

2.一種陽(yáng)光熱反射膜結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟S1：提供金屬基片(10)；

步驟S2：在真空離子物理氣相沉積設(shè)備中對(duì)金屬基片(10)的一側(cè)進(jìn)行輝光清洗形成第一轟擊活化層(20)；

步驟S3：對(duì)金屬基片(10)具有第一轟擊活化層(20)的側(cè)面用純鋁靶材并采用中頻線射法制備粘接底層(30)；

步驟S4：對(duì)粘接底層(30)用二氧化鈦靶材并采用射頻濺射法制備第一粘結(jié)層系(40)；

步驟S5：由二氧化鈦和二氧化硅交替沉積在第一粘結(jié)層系(40)上形成介電層系(50)；

步驟S6：用摻鋁氧化鋅靶材并采用中頻濺射法在介電層系(50)上形成導(dǎo)電粘結(jié)層(60)；

步驟S7：用電解銅靶材并采用中頻濺射法在導(dǎo)電粘結(jié)層(60)上形成功能反射層(70)；

步驟S8：用純銀靶材并采用中頻濺射法在功能反射層(70)上形成主反射層(80)；

步驟S9：對(duì)主反射層(80)用二氧化鈦靶材并采用射頻濺射法制備制備第二粘結(jié)層系(90)；

步驟S10：對(duì)第二粘結(jié)層系(90)的一個(gè)側(cè)面進(jìn)行輝光清洗，使得第二粘結(jié)層系(90)表面凈化并建立第二轟擊活化層(110)；

步驟S11：采用氧化鋁并采用電子束蒸發(fā)法制作透明防護(hù)層(120)。

3.如權(quán)利要求2所述的陽(yáng)光熱反射膜結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：由金屬鈦靶材通氧反應(yīng)濺射形成二氧化鈦，由單晶硅靶材通氧反應(yīng)濺射形成二氧化硅。

4.如權(quán)利要求3所述的陽(yáng)光熱反射膜結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：在真空離子物理氣相沉積設(shè)備中配有光譜控制探頭和靶電壓控制儀。

5.如權(quán)利要求2所述的陽(yáng)光熱反射膜結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：采用電子束蒸發(fā)法制作透明防護(hù)層(120)時(shí)，在1500幅寬的鋁板上成膜，選用2個(gè)真空室交錯(cuò)設(shè)置，并設(shè)置7支電子束槍，每支電子束槍的功率為20～50KW。