[發明專利]一種近紅外熒光粉以及含該熒光粉的發光裝置

在審

• 申請號: 201811070674.3
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN108998020A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 劉元紅;劉榮輝;陳明月;陳曉霞;邵冷冷
• 申請（專利權）人: 有研稀土新材料股份有限公司;國科稀土新材料有限公司
• 主分類號: C09K11/66
• 分類號: C09K11/66;C09K11/80;H01L33/50
• 代理公司: 北京智橋聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 11560
• 代理人: 段嘯冉

1.一種近紅外熒光粉，其特征在于，該熒光粉包含化學通式為A_xR_pQ_qO_r:D_y的無機化合物，其中，A為Zn、Ca、Mg、Sr和Ba元素中的一種或兩種，R為Ga，Al和B元素中的一種或兩種，Q為Ge和Si元素中的一種或兩種，D為Ni或者是Ni、Yb的組合，2≤x≤4，1.5≤p≤2.5，0.8≤q≤1.2，6≤r≤10，0.0001≤y≤0.2。

2.如權利要求1所述的一種近紅外熒光粉，其特征在于，該無機化合物的晶體結構與尖晶石ZnGa₂O₄相同。

3.如權利要求1-2中任一項所述的一種近紅外熒光粉，其特征在于，A為Zn。

4.如權利要求1-2中任一項所述的一種近紅外熒光粉，其特征在于，R為Ga。

5.如權利要求1-2中任一項所述的一種近紅外熒光粉，其特征在于，Q為Ge。

6.如權利要求1-2中任一項所述的一種近紅外熒光粉，其特征在于，x:(p+y):q:r＝3:2:1:8。

7.如權利要求1-2中任一項所述的一種近紅外熒光粉，其特征在于，該熒光粉的激發峰峰值波長位于250-750nm之間，發射峰峰值波長位于1250-1300nm，適用于藍光、紫外光或紅光LED芯片。

8.如權利要求1-2中任一項所述的一種近紅外熒光粉在發光材料中的應用。

9.如權利要求1-2中任一項所述的一種近紅外熒光粉在發光裝置中的應用。

10.一種含有權利要求1-2中任一項所述的一種近紅外熒光粉的發光裝置，紅外熒光粉的制備方法如下：

混料A、R、Q和D所對應的化合物，該化合物包括氧化物、碳酸鹽或硝酸鹽，按化學計量比稱重，研細，混勻，將所得混合物置于坩堝中，于1200-1500℃下，在空氣或保護氣體存在的情況下燒結2-10h，獲得焙燒產物，焙燒產物進行破碎、研磨、分級、篩洗處理，獲得近紅外熒光粉。

11.一種發光裝置，包含光源和發光材料，其特征在于，所述發光材料為權利要求1-2中任一項所述的近紅外熒光粉。

12.一種發光裝置，其特征在于，該發光裝置包含發光元件(2)、光轉化部Ⅰ(1)和光轉化部Ⅱ(6)，光轉化部Ⅰ(1)吸收發光元件(2)發出的一次光，并轉換為更高波長的二次光，光轉化部Ⅱ(6)吸收發光元件(2)的一次光和光轉化部Ⅰ(1)發出的二次光，并轉換為更高波長的三次光，所述光轉化部Ⅰ(1)至少含有發光材料Ⅰ，光轉化部Ⅱ(6)至少含有要求1-7任一項所述近紅外熒光粉。

13.如權利要求12所述的一種發光裝置，其特征在于，發光材料Ⅰ是在發光元件(2)激發下可以發射出峰值波長為580-650nm的發射光的發光材料。

14.如權利要求12-13中任一項所述的一種發光裝置，其特征在于，所述發光材料Ⅰ為選自通式M_mAl_aSi_bN_c:Eu_d或M_eSi_fN_g:Eu_n中的發光材料中的一種或兩種，其中，M元素至少含有Ca和Sr中的一種或一種以上元素，0.8≤m≤1.2，0.8≤a≤1.2，0.8≤b≤1.2，2≤c≤4，0.0001≤d≤0.1，1.8≤e≤2.2，4≤f≤6，7≤g≤9，0.0001≤n≤0.1。