[發明專利]一種氮化物熒光物質及含有該熒光物質的發光裝置有效
| 申請號: | 201811070666.9 | 申請日: | 2018-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN109054817B | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發明(設計)人: | 劉榮輝;劉元紅;陳磊;江澤;邵冷冷 | 申請(專利權)人: | 有研稀土新材料股份有限公司;有研稀土高技術有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/64 | 分類號: | C09K11/64;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京中創云知識產權代理事務所(普通合伙) 11837 | 代理人: | 肖佳 |
| 地址: | 100088 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氮化物 熒光 物質 含有 發光 裝置 | ||
1.一種氮化物熒光物質用于制備在發射波長為360-480nm的紫光/近紫外光半導體芯片或藍光半導體芯片為激發光源下,發射近紅外光的發光材料的用途,其特征在于,所述熒光物質含有化學式為MmAlxSiyN3:aR,bEu,cCe的化合物,其中,
所述M元素選自Ca元素和/或Sr元素;
所述R元素為Er元素;
所述參數m、x、y、a、b、c滿足如下關系:0.8≤m≤1.0,0.9≤x≤1.1,0.9≤y≤1.1,0.03≤a≤0.04,0.001≤b≤0.007,0.001≤c≤0.01。
2.根據權利要求1所述的用途,其特征在于,所述熒光物質具有與CaAlSiN3相同的晶體結構。
3.根據權利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述M元素為Ca元素和Sr元素,且所述Ca元素占所述M元素的摩爾比不低于0.8。
4.根據權利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述參數b、c滿足如下關系:3≤b/c≤6。
5.根據權利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述參數x、y滿足如下關系:1≤y/x≤1.3。
6.根據權利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述M元素為Ca元素。
7.一種氮化物熒光物質用于制備在發射波長為360-480nm的紫光/近紫外光半導體芯片或藍光半導體芯片為激發光源下,發射近紅外光的發光裝置的用途,其特征在于,所述發光裝置至少包括所述氮化物熒光物質以及激發光源;
所述熒光物質含有化學式為MmAlxSiyN3:aR,bEu,cCe的化合物,其中,
所述M元素選自Ca元素和/或Sr元素;
所述R元素為Er元素;
所述參數m、x、y、a、b、c滿足如下關系:0.8≤m≤1.0,0.9≤x≤1.1,0.9≤y≤1.1,0.03≤a≤0.04,0.001≤b≤0.007,0.001≤c≤0.01。
8.根據權利要求7所述的用途,其特征在于,所述熒光物質具有與CaAlSiN3相同的晶體結構。
9.根據權利要求7或8所述的用途,其特征在于,所述M元素為Ca元素和Sr元素,且所述Ca元素占所述M元素的摩爾比不低于0.8。
10.根據權利要求7或8所述的用途,其特征在于,所述參數b、c滿足如下關系:3≤b/c≤6。
11.根據權利要求7或8所述的用途,其特征在于,所述參數x、y滿足如下關系:1≤y/x≤1.3。
12.根據權利要求7或8所述的用途,其特征在于,所述M元素為Ca元素。
13.根據權利要求7或8所述的用途,其特征在于,所述激發光源的發射波長為360-480nm。
14.根據權利要求13所述的用途,其特征在于,所述激發光源為紫光/近紫外光半導體芯片,或藍光半導體芯片。
15.根據權利要求7或8所述的用途,其特征在于,所述激發光源為發射波長范圍介于390-430nm的紫光/近紫外光半導體芯片,或者,所述激發光源為發射波長范圍介于430-470nm的藍光半導體芯片。
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