[發(fā)明專利]一種近紅外發(fā)光材料及由該材料制備的發(fā)光裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811069421.4
• 申請(qǐng)日: 2018-09-13
• 公開（公告）號(hào): CN108998026A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉榮輝;陳曉霞;劉元紅;李彥峰;馬小樂(lè)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 有研稀土新材料股份有限公司;國(guó)科稀土新材料有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/80
• 分類號(hào): C09K11/80;H01L33/50
• 代理公司: 北京智橋聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11560
• 代理人: 段嘯冉

1.一種近紅外發(fā)光材料，其特征在于，該發(fā)光材料包含化學(xué)式為R_uQvO_w：Cr_x，Yb_y的無(wú)機(jī)化合物，其中，

所述R元素選自Y元素、La元素、Lu元素、Gd元素或Tb元素中的至少一種；

所述Q元素為Ga元素和/或Al元素；

且所述參數(shù)u、v、w、x和y滿足如下條件：2.5≤u≤3.5，3.5≤v≤5.5，11.25≤w≤13.25，0.02≤x≤0.30，0.02≤y≤0.30。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外發(fā)光材料，其特征在于，所述Q元素為Ga元素。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外發(fā)光材料，其特征在于，所述Q元素為Ga元素和Al元素的組合，其中，所述Ga元素與Al元素的摩爾百分比為j，且80％≤j＜100％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的近紅外發(fā)光材料，其特征在于，所述R元素為Y元素、Tb元素或Lu元素；或者，所述R元素為Y元素與Tb元素或Lu元素的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的近紅外發(fā)光材料，其特征在于，所述R元素含有Tb元素或/和Lu元素。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的近紅外發(fā)光材料，其特征在于，所述參數(shù)x、y滿足如下條件：0.15≤y/x≤2，優(yōu)選0.3≤y/x≤1。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的近紅外發(fā)光材料，其特征在于，所述參數(shù)u、v、x和y滿足如下條件：1.2≤(v+x)/(u+y)≤1.65，優(yōu)選1.45≤(v+x)/(u+y)≤1.60。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的近紅外發(fā)光材料，其特征在于，所述發(fā)光材料還含有Ba或/和F元素。

9.一種發(fā)光裝置，包括熒光體和激發(fā)光源，其特征在于，所述熒光體包括權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的近紅外發(fā)光材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置包含半導(dǎo)體芯片(2)、光轉(zhuǎn)化部I(1)和光轉(zhuǎn)化部Ⅱ(6)，所述光轉(zhuǎn)化部I(1)吸收所述半導(dǎo)體芯片(2)發(fā)出的一次光，并將其轉(zhuǎn)換為更高波長(zhǎng)的二次光，所述光轉(zhuǎn)化部Ⅱ(6)吸收所述半導(dǎo)體芯片(2)的一次光和所述光轉(zhuǎn)化部I(1)發(fā)出的二次光，并將其轉(zhuǎn)換為更高波長(zhǎng)的三次光；

所述光轉(zhuǎn)化部I(1)至少含有發(fā)光材料I，所述光轉(zhuǎn)化部Ⅱ(6)至少含有權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述近紅外發(fā)光材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光材料I為在所述半導(dǎo)體芯片(2)激發(fā)下，可以發(fā)射出峰值波長(zhǎng)為580-650nm的發(fā)射光的發(fā)光材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光材料I為選自通式M_mAl_aSi_bN_c:Eu_d或M_eSi_fN_g:Eu_n中的發(fā)光材料中的一種或兩種；其中，

所述M元素選自Ca元素和/或Sr元素；

所述參數(shù)m、a、b、c、d、e、f、g和n滿足如下條件：0.8≤m≤1.2，0.8≤a≤1.2，0.8≤b≤1.2，2≤c≤4，0.0001≤d≤0.1，1.8≤e≤2.2，4≤f≤6，7≤g≤9，0.0001≤n≤0.1。

13.根據(jù)權(quán)利要求10-12任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光材料I具有如CaAlSiN₃或Sr₂Si₅N₈的晶型結(jié)構(gòu)。