[發明專利]一種高階溫度補償的帶隙基準電路

有效

• 申請號: 201811069122.0
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN109254612B
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 周前能;彭志強;李紅娟;范霆鎧;郭濤
• 申請（專利權）人: 重慶郵電大學
• 主分類號: G05F1/46
• 分類號: G05F1/46;G05F1/567
• 代理公司: 重慶市恒信知識產權代理有限公司 50102
• 代理人: 劉小紅;陳棟梁

1.一種高階溫度補償的帶隙基準電路，其特征在于，包括：一階帶隙基準電路(1)、高溫區域曲率補償電路(2)、低溫區域分段補償電路(3)、低溫區域曲率補償電路(4)及啟動電路(5)，其中，所述一階帶隙基準電路(1)的信號輸出端分別接所述高溫區域曲率補償電路(2)的信號輸入端、低溫區域分段補償電路(3)的信號輸入端、低溫區域曲率補償電路(4)的信號輸入端及啟動電路(5)的信號輸入端，所述啟動電路(5)的信號輸出端接所述一階帶隙基準電路(1)的啟動信號輸入端，所述高溫區域曲率補償電路(2)、所述低溫區域分段補償電路(3)以及所述低溫區域曲率補償電路(4)的電信號輸出端分別接所述一階帶隙基準電路的電信號輸入端；所述一階帶隙基準電路(1)用于產生一階帶隙基準參考電壓，所述高溫區域曲率補償電路(2)的電流I₁₆在電阻R7上產生的電壓V_NL1、所述低溫區域分段補償電路(3)的電流I₂₂在電阻R7上產生的電壓V_NL2以及所述低溫區域曲率補償電路(4)的電流I₂₄在電阻R7上產生的電壓V_NL3對所述一階帶隙基準電路(1)所產生的一階帶隙基準參考電壓進行溫度補償，所述啟動電路(5)為所述一階帶隙基準電路(1)提供啟動信號。

2.根據權利要求1所述的一種高階溫度補償的帶隙基準電路，其特征在于，

所述一階帶隙基準電路(1)包括：PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、放大器A1、放大器A2以及放大器A3，其中PMOS管M1的源極分別與PMOS管M4的源極、PMOS管M5的源極、PMOS管M6的源極、PMOS管M7的源極以及外部電源VDD相連，所述PMOS管M1的漏極分別與放大器A2的正向輸入端以及電阻R1的一端相連，所述PMOS管M1的柵極分別與放大器A2的輸出端、PMOS管M17的柵極以及NMOS管M30的漏極相連，PMOS管M4的漏極與電阻R3的一端相連，電阻R3的另一端分別與放大器A2的反向輸入端、放大器A1的正向輸入端以及電阻R2的一端相連，電阻R2的另一端分別與PMOS管M2的柵極、PMOS管M2的源極以及PMOS管M2的漏極相連，PMOS管M4的柵極分別與PMOS管M5的柵極、PMOS管M8的柵極、PMOS管M20的柵極、PMOS管M23的柵極、NMOS管M29的漏極以及放大器A1的輸出端相連，PMOS管M5的漏極分別與放大器A3的正向輸入端以及電阻R4的一端相連，電阻R4的另一端分別與放大器A1的反向輸入端、PMOS管M3的柵極、PMOS管M3的源極以及PMOS管M3的漏極相連，PMOS管M6的柵極分別與放大器A3的輸出端、PMOS管M7的柵極以及NMOS管M28的漏極相連，PMOS管M6的漏極分別與放大器A3的反向輸入端以及電阻R5的一端相連，PMOS管M7的漏極分別與帶隙基準電路輸出端VREF以及電阻R6的一端相連，電阻R6的另一端分別與PMOS管M16的漏極、PMOS管M22的漏極、PMOS管M24的漏極、NMOS管M27的柵極以及電阻R7的一端相連，電阻R7的另一端分別與電阻R5的另一端、PMOS管M3的襯底、PMOS管M2的襯底、電阻R1的另一端以及外部地線GND相連。