[發明專利]一種濕法黑硅制絨清洗槽、制絨機臺及濕法黑硅制絨方法在審
| 申請號: | 201811068621.8 | 申請日: | 2018-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN109326538A | 公開(公告)日: | 2019-02-12 |
| 發明(設計)人: | 孟少東;黃明;李超;徐昆 | 申請(專利權)人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/0236;C30B33/10 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 羅滿 |
| 地址: | 334100 江*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 黑硅 濕法 基片表面 制絨 制絨清洗 發生器 兆聲波 機臺 聲波 連續沖擊 清洗液 槽體 污染物 污染物微粒 循環管道 加熱板 循環泵 可用 去除 吸附 花籃 損傷 申請 | ||
1.一種濕法黑硅制絨清洗槽,所述濕法黑硅制絨清洗槽包括槽體、花籃、加熱板、循環管道及循環泵,其特征在于,包括:
兆聲波發生器,所述兆聲波發生器設置在所述槽體的底部,用于產生高能聲波,推動清洗液分子連續沖擊黑硅基片表面。
2.如權利要求1所述的濕法黑硅制絨清洗槽,其特征在于,所述兆聲波發生器產生的兆聲波頻率為0.8兆赫茲至1.0兆赫茲,包括端點值。
3.如權利要求1所述的濕法黑硅制絨清洗槽,其特征在于,所述循環管道,還包括精濾過濾器,所述精濾過濾器的精度為10微米。
4.如權利要求3所述的濕法黑硅制絨清洗槽,其特征在于,所述循環管道,還包括微濾過濾器,所述微濾過濾器精度為0.1微米。
5.如權利要求1所述的濕法黑硅制絨清洗槽,其特征在于,所述花籃設置于所述兆聲波發生器的正上方。
6.如權利要求1-5任一項所述的濕法黑硅制絨清洗槽,其特征在于,所述加熱板的數量不低于兩塊,所述加熱板在所述槽體的側壁上均勻分布。
7.一種制絨機臺,其特征在于,所述制絨機臺包括如權利要求1-6任一項所述的濕法黑硅制絨清洗槽。
8.一種濕法黑硅制絨的方法,其特征在于,包括:
提供黑硅基片;
在所述黑硅基片進行銀沉積之前,通過如權利要求1-6任一項所述的濕法黑硅制絨清洗槽進行去臟污清洗。
9.如權利要求8所述的濕法黑硅制絨的方法,其特征在于,在所述黑硅基片進行銀沉積之后,還包括:
通過如權利要求1-6任一項所述的濕法黑硅制絨清洗槽進行去臟污清洗。
10.如權利要求8所述的濕法黑硅制絨的方法,其特征在于,所述黑硅基片在進行銀沉積之前的第一次堿洗中,所述堿洗的溫度控制在70攝氏度到80攝氏度之間,包括端點值。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





