[發(fā)明專利]一種使用釕阻擋層的金屬互連線路的化學(xué)機(jī)械拋光方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811068429.9
• 申請(qǐng)日: 2018-09-13
• 公開（公告）號(hào): CN109300783A
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程潔;王同慶;謝李樂;路新春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/306
• 分類號(hào): H01L21/306
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 趙天月

1.一種圖形片晶圓的拋光方法，其特征在于，

所述圖形片晶圓包括：襯底、介質(zhì)層、釕阻擋層和金屬層，所述介質(zhì)層、所述釕阻擋層和所述金屬層設(shè)在所述襯底上，所述釕阻擋層設(shè)在所述介質(zhì)層和所述金屬層之間；

所述拋光方法包括：

(1)利用第一拋光液對(duì)所述金屬層依次進(jìn)行第一拋光處理和第二拋光處理；

(2)利用第二拋光液對(duì)所述釕阻擋層進(jìn)行第三拋光處理，得到拋光后圖形片晶圓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光方法，其特征在于，所述圖形片晶圓呈方形；

任選地，所述圖形片晶圓為邊長(zhǎng)為1.0～2.0inch的正方形圖形片晶圓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光方法，其特征在于，所述釕阻擋層包括Ru/Ta/TaN復(fù)合結(jié)構(gòu)；

任選地，所述金屬層中含有Cu。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光方法，其特征在于，所述第一拋光液包括：0.2～2.0重量份的H₂O₂、1～6重量份的SiO₂磨粒。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光方法，其特征在于，所述第二拋光液包括：0.2～1.0重量份的H₂O₂、不少于0.5重量份的三氮唑基緩蝕劑和1～3重量份的SiO₂磨粒。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光方法，其特征在于，所述第一拋光處理的拋光壓力為0.8～2.0psi，所述第二拋光處理的拋光壓力為0.6～1.8psi。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拋光方法，其特征在于，所述第一拋光處理和所述第二拋光處理中，所述第一拋光液的流量為100～180mL/min，拋光轉(zhuǎn)速為80～120r/min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三拋光處理的拋光壓力為0.6～1.2psi。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第三拋光處理中，所述第二拋光液的流量為100～150mL/min，拋光轉(zhuǎn)速為70～100r/min。

10.一種適于對(duì)圖形片晶圓中釕阻擋層進(jìn)行拋光的拋光液，其特征在于，包括：0.2～1.0重量份的H₂O₂、不少于0.5重量份的三氮唑基緩蝕劑和1～3重量份的SiO₂磨粒。