[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片的失效分析方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811067761.3 | 申請(qǐng)日： | 2018-09-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109444193A | 公開（公告）日： | 2019-03-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 華佑南;李兵海;李曉旻 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 勝科納米(蘇州)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01N23/2202 | 分類號(hào)： | G01N23/2202;G01N23/2251 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 朱琳 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 化學(xué)染色液 失效分析 半導(dǎo)體芯片 干燥樣品 染色處理 研磨拋光 切割半導(dǎo)體芯片 掃描電子顯微鏡 摻雜物分布 空間分辨率 二維描述 化學(xué)處理 掃描電鏡 失效節(jié)點(diǎn) 顯微攝影 樣品表面 樣品放置 拋光 面輪廓 放入 制備 清洗 摻雜 描繪 配置 分析 檢查 | ||
1.一種半導(dǎo)體芯片的失效分析方法，其特征在于，包括：
切割半導(dǎo)體芯片制備具有橫截面的樣品；
對(duì)樣品的衡截面進(jìn)行研磨拋光、水洗并干燥樣品；
配置化學(xué)染色液；
將拋光好的樣品放入所述化學(xué)染色液中進(jìn)行染色處理；
對(duì)染色處理后的樣品進(jìn)行清洗并干燥樣品；
將樣品放置在掃描電鏡中進(jìn)行檢查并進(jìn)行顯微攝影，進(jìn)行失效分析。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的失效分析方法，其特征在于，所述化學(xué)染色液采用硝酸、氫氟酸和去離子水的混合液。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片的失效分析方法，其特征在于，所述硝酸、氫氟酸和水的體積比為H2O:HNO3:HF＝15:20:1。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的失效分析方法，其特征在于，采用直噴的方式用清水沖洗樣品25-35秒。
5.如權(quán)利要求1或4所述的半導(dǎo)體芯片的失效分析方法，其特征在于，采用吹氣槍吹干樣品或者采用氮?dú)飧稍飿悠贰?/p>
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的失效分析方法，其特征在于，在對(duì)樣品的橫截面進(jìn)行拋光之前，采用FIB工藝在樣品上標(biāo)注出拋光的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和目標(biāo)標(biāo)記。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的失效分析方法，其特征在于，所述樣品的染色時(shí)間為室溫條件下2～6秒鐘。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的失效分析方法，其特征在于，在樣品放置在掃描電鏡中之前，采用Pt濺射法對(duì)樣品表面涂敷15-30秒。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的失效分析方法，其特征在于，所述掃描電鏡在加速電壓為1～5kV，工作距離為3～5mm的條件下進(jìn)行顯微攝影。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的失效分析方法，其特征在于，采用SELRA(賽拉)切割器切割半導(dǎo)體芯片。
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