[發(fā)明專利]磁場中的推進(jìn)器、磁場中的制動(dòng)和/或發(fā)電裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811067358.0
• 申請(qǐng)日: 2018-09-13
• 公開（公告）號(hào): CN108900062A
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李丹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市丹明科技有限公司
• 主分類號(hào): H02K41/00
• 分類號(hào): H02K41/00;H02K1/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種磁場中的推進(jìn)器，包括磁場聚集部件和能夠通電的導(dǎo)體，其特征在于，所述磁場聚集部件設(shè)有用于增強(qiáng)外部磁場的外部磁場通路，所述外部磁場通路至少包括收口通路和增強(qiáng)通路，形成所述外部磁場通路的所述磁場聚集部件的本體能夠排斥或者阻擋外部磁場的磁力線，當(dāng)外部磁場的磁力線由外部磁場通路通過時(shí)，以使外部磁場的磁力線經(jīng)由所述收口通路改變方向，并于所述增強(qiáng)通路得以增強(qiáng)，所述導(dǎo)體設(shè)于所述增強(qiáng)通路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的推進(jìn)器，其特征在于，所述磁場聚集部件設(shè)有用于增強(qiáng)外部磁場的左右貫通的外部磁場通路，所述外部磁場通路至少包括收口通路和增強(qiáng)通路，所述收口通路在空間上從上方和/或下方向中間直接變窄或，所述收口通路自其一端向另一端逐漸變窄，所述增強(qiáng)通路為所述收口通路變窄之后的通路或收口通路變窄之后的后延通路。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的推進(jìn)器，其特征在于，所述收口通路位于所述外部磁場通路的一端或兩端。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的推進(jìn)器，其特征在于，所述磁場聚集部件的本體材料能夠排斥或者阻擋外部磁場的磁力線。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的推進(jìn)器，其特征在于，所述磁場聚集部件的材料為高抗磁性材料、完全抗磁性材料、超抗磁性體材料、超導(dǎo)材料、完美抗磁性材料、超抗磁性體、完全抗磁性體、超導(dǎo)、超導(dǎo)體、抗磁性材料、熱解石墨、鉍、水銀、銀、金剛石、鉛、石墨、銅中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的推進(jìn)器，其特征在于，所述磁場聚集部件的本體材料為熱解石墨、鉍、銀、金剛石、鉛、石墨、銅或者置于密封容腔中水銀中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)中任一項(xiàng)所述的推進(jìn)器，其特征在于，所述磁場聚集部件包括上引導(dǎo)件和下引導(dǎo)件；兩者上下方向的間距自一端向另一端逐漸變小，形成所述收口通路；兩者之間保持變小之后的間距，形成所述增強(qiáng)通路；

或者，所述磁場聚集部件包括上引導(dǎo)件和下引導(dǎo)件；兩者的間距向中間直接變小，形成所述收口通路；兩者之間保持變小之后的間距，形成所述增強(qiáng)通路。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的推進(jìn)器，其特征在于，所述上引導(dǎo)件和下引導(dǎo)件的另一端或中部相互平行；所述上引導(dǎo)件和下引導(dǎo)件上下對(duì)稱或非對(duì)稱分布，上引導(dǎo)件和下引導(dǎo)件其一端或兩端上下方向的距離呈弧形的逐漸變小或者其一端或兩端上下方向的距離呈直角平面形狀的直接變小。