[發明專利]一種片狀氧化鎂或摻雜氧化鎂陣列的制備方法

有效

• 申請號: 201811066420.4
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN109371385B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 唐文翔;王思博;郭彥炳;高普獻;陳松華
• 申請（專利權）人: 福建龍新三維陣列科技有限公司
• 主分類號: C23C18/12
• 分類號: C23C18/12
• 代理公司: 北京五月天專利商標代理有限公司 11294
• 代理人: 李永聯

1.一種片狀摻雜氧化鎂陣列的制備方法，其特征包括如下步驟：

（1）清洗基底；

（2）配制生長溶液：將鎂鹽和摻雜組分金屬鹽溶解于水，然后加入生成反應劑，將金屬基底浸入生長溶液；

（3）生長反應：加熱至60-120oC，并在此溫度下保持2-12小時；

（4）清洗干燥；

（5）高溫后處理：將干燥后的產品使用馬弗爐或微波或紅外加熱，使納米片狀氧化鎂陣列成型；

所述的生成反應劑選自尿素、六次甲基四胺中的一種或者兩種，

所述片狀納米附著在作為載體的基底表面，所述的基底選自鋁基底。

2.根據權利要求1所述的方法，所述的清洗基底步驟是將基底完全浸沒在乙醇中，在超聲條件下清洗，再用去離子水清洗，之后放入烘箱在干燥。

3.根據權利要求1所述的方法，所述的配制生長溶液和生長反應步驟是在密閉容器內進行。

4.根據權利要求1所述的方法，所述的鎂鹽選自硝酸鎂，氯化鎂，硫酸鎂，醋酸鎂其中的一種或者多種。

5.根據權利要求1所述的方法，所述的摻雜組分金屬鹽選自鋰鹽、銅鹽、鈦鹽、鈷鹽、錳鹽中的一種或者多種。